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반도체기술

저작시기 2012.12 |등록일 2013.03.28 한글파일한글 (hwp) | 8페이지 | 가격 1,500원

목차

◈ CH2 웨이퍼 공정
◈ CH3 클리닝 공정
◈ CH4 클리닝 공정
◈ CH5 열공정
◈ CH6 사진 공정
◈ CH9 패키징과 PCB
◈ CH11 그 밖의 반도체 응용 기술

본문내용

◈ CH2 웨이퍼 공정
* 구리배선기술
반도체 금속배선에 있어 기존의 알루미늄(Al) 배선물질보다 낮은 전기저항 및 보다 좋은 전자이주 특성을 갖는 구리를 이용하여 금속연결선을 만드는 것
․장점
1) 생산비용 절감
2) 신뢰도를 높일 수 있다
3) 수율을 높일 수 있다
4) 유해환경물질배출 감소
5) 고속화, 고집적화
․상감공정 : 절연막 내부로 배선라인 트랜치 및 비어등을 먼저 식각한 후, 배선물질인 구리를 채우는 방식
* 저유전체 : 4이하의 낮은 유전상수 값을 가진 물질로, 반도체 절연물질로 쓰이는 산화 실리콘에 비해 향상된 절연 능력을 가지고 있는 유전체 물질
․반도체 소자용 저유전체는 크게 층간 박막으로 도포하는 방법에 따라, 회전 코딩방법이나 화학 기상 증착방법에 의해 형성되는 종류로 나눌 수 있으며, 또한 각각의 방법은 유기 저유전체와 무기 저유전체 그리고 최근의 유무기 혼성체로 나눌 수 있다.
․생산 칩수가 약 2.5배가 증가하는 12인치 즉 300mm 웨이퍼의 사용이 유력시 되고 있다.
* FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) : 강유전체 메모리
․장점
① 분극 특성을 이용하는 메모리로서 전원을 꺼도 정보가 소실되지 않는 비휘발성 특징
② 기존의 플레쉬 메모리와 비교해 낮은 전압에서 고속으로 정보를 읽고 쓸 수 있다.
* MRAM(Magnetic Random Access Memory) : 자기메모리
SRAM(Static RAM)과 유사한 빠른 기록 및 재생이 가능하고 DRAM 이상의 고밀도 기록, 낮은 단가, 저소비전력 등의 특성을 가진 유망한 차세대 비휘발성 메모리 소자

참고 자료

없음
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