검색어 입력폼

ETCHING

저작시기 2012.06 |등록일 2012.12.24 | 최종수정일 2013.11.17 파워포인트파일MS 파워포인트 (pptx) | 56페이지 | 가격 5,000원

소개글

식각공정 전반에 관한 자료 입니다.

목차

1. Introduction to the etch process
2. Dry etching
3. Dry etching Application
4. Wet etching

본문내용

What is the etching?
Wafer 표면의 선택된 부분을 제거하기 위해서 사용되는 공정
PR pattern을 마스크로 하고 마스크 아래 부분과 외부에 노출된 부분의 화학 반응을 다르게 하여 wafer 표면의 박막에 가스나 산과 알칼리 같은 화학 물질을 통해 필요 없는 부분을 제거하고 미세한 회로 패턴을 형성 시켜 주기 위해 가공하는 단계의 공정
Substrate
Deposition
PR
4
Dry Etching
By Plasma
Anisotropic etching
High resolution
Good selectivity for most materials
Wet etching
By Wet chemical solution
Isotropic etching
High selectivity
environmental problem
Low resolution

<중 략>

: pH 조절, 소모된 불화물 이온 보충하여 일정한 시각 속도 유지

식각속도 parameter : 식각액 농도, 교반정도, 온도 등
식각속도 : 10~100nm/min (at RT)
증기상의 HF로 식각하면 미세한 패턴 식각 가능
반응이 HF를 빨리 소모하므로 반응률은 시간에 따라 감소
식각속도가 너무 빨라서 공정 조절이 어려움1000Å/min)
52
2. SiO2 etch
Etchant : 농축된 or or

일반적으로 농축된 180℃에서 85% 이용 (매우 천천히 식각)

질화막의 식각속도 : 10nm/min
산화막의 식각속도 : 1nm/min
PR도포전 얇은 산화막으로 증착하여 mask 역할
Etchant에 의해 PR이 들려 올려지며 부풀어짐
열이나 CVD를 이용해 층을 얇게 만들고 높은 선택성이 장점

참고 자료

없음
다운로드 맨위로