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반도체 결정 제조공정에 대하여

저작시기 2009.04 |등록일 2012.05.05 한글파일한컴오피스 (hwp) | 3페이지 | 가격 1,200원

소개글

반도체 결정을 만들기 위한 제조 공정을 조사한 자료입니다. 애피텍시,초크랄스키법 등에 대해 소개하였습니다.

목차

없음

본문내용

1)초크랄스키법 (Czochralskimethod;약칭은 CZ법. 結晶引上法)
크고 질적으로 양호한 결정을 만드는 데에 적합한 방법. 이렇게 만들어지는 결정은 집적회로나 보통의 다이오드·트랜지스터 등의 회로소자를 만드는 반도체결정으로 만드는데 이용된다. 게르마늄단결정의 양산(量産)에 활용되고 있으며, 또한 실리콘단결정 제조에도 이용되고 있다.

- 실리콘단결정 제조
먼저 고순도 실리콘다결정을 고순도의 석영도가니 안에 넣고, 이것을 도가니 홀더 바깥둘레에 장치한 카본 히터로 가열하여 용융시킨다. 그리고 이 용융액에 종자결정인 실리콘단결정을 담근 다음, 이 단결정을 매분 10회 정도 회전시키면서 매분 1∼2㎜의 속도로 끌어올리면 된다. 이때 도가니와 함께 용융액을 결정의 회전 방향과는 반대 방향으로 회전시켜야 한다. 이상과 같은 조작으로 균일성이 뛰어나고 지름도 큰 실리콘단결정이 만들어진다. 이 제조법으로 초기에는 지름이 약 20㎜인 실리콘단결정이 만들어졌는데, 기술과 장치의 개량으로 해마다 평균 약 6∼7㎜씩 증가하여 지금은 120㎜ 정도의 큰 실리콘단결정도 만들 수 있게 되었다.

참고 자료

네이버 블로그 (http://blog.naver.com/jjsr1979?Redirect=Log&logNo=30000376771)
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