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기초회로 실험 보고서

저작시기 2010.10 | 등록일 2012.04.21 한글파일 한컴오피스 (hwp) | 9페이지 | 가격 1,000원

소개글

기초회로 실험보고서입니다. (참고그림 기재)실험을 통해 나온 결과값들을 보고 직접 경향성을 찾아 이론을 증명하고 분석하였습니다.알차게 구성 되어있으며 `분석 및 토의`를 각별히 신경써 작성하였습니다. 참고자료로 쓰기에 좋은 레포트로 판단됩니다.

목차

없음

본문내용

2. 이론 및 원리

A. 전기저항(옴의 법칙, 다이오드 특성)

① 옴의 법칙
어느 저항에 걸리는 전압 와 이에 흐르는 전류 의 비율을 전기저항 이라 하며 다음과 같은 식으로 표현할 수 있다.



여기서 전기저항 은 물질의 종료, 모양, 크기, 온도 등에 따라 달라지며, 걸린 전압 에 따라서도 달라질 수 있다. 일반적인 저항의 경우에 걸린 전압 나 전류 와는 무관하게 일정한 저항 값을 갖는다. 이와 같이 전압 와 전류 가 일정한 상수 비율(전기저항 )로 주어지는 것을 옴(Ohm)의 법칙이라 한다. 반면에 반도체를 이용한 다이오드나 트랜지스터의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고 전기저항이 걸린 전압의 방향이나 크기에 따라 달라진다.

② 다이오드 특성
Ⅳ족 원소인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 이들이 결정 상태를 이루고 있을 때 각 원자가 가지고 있는 4개의 원자가 전자들이 이웃하는 4개의 다른 원자와의 강한 공유결합을 형성하고 이들에 속박되어 아주 큰 저항을 가지고 있다. 이 결정에 Ⅲ족이나 Ⅴ족의 불순물이 들어가면 일반적으로 전기저항이 감소한다. 인(P)와 같이 5개의 원자가전자를 가지는 Ⅴ족 원소가 미량 첨가되면, 이 Ⅴ족 원소의 4개 원자가전자는 비교적 자유로이 움직일 수 있어 작은 저항 값을 가지게 된다. 이와 같이 Ⅴ족 불순물을 첨가하여 자유로운 전자를 가지는 반도체를 n형 반도체라 한다.

참고 자료

없음
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