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60습식식각

저작시기 2009.04 |등록일 2012.02.18 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 14페이지 | 가격 1,000원

소개글

공학 레포트

목차

Wet etching ?
공정의 기본순서
SiO2 식각
Si3N4 식각
Si 식각
Al 식각
GaAs 식각
PSG 식각
Wet etch 의 장단점

본문내용

PSG(인 실리게이트) 식각
낮은온도에서 인을 도핑한 산화막으로 보통
절연층이나 보호층으로 사용됨
식각 용액은 HF나 BHF를 주로 사용함
보호층일때 알루미늄을 보호하기위해 BHF를 사용
반응식은 SiO2와 같다
인의 도핑농도가 다르기때문에 수평식각이 일어남

Wet Etch의 장단점
공정 비용이 저렴하다
장점
선택비가 크다 (즉, 석택적으로 원하는 박막만 골라서 식각을 할 수 있다)
식각속도가 빠르다Damage가 상대적으로 낮음

참고 자료

없음
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