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35WET_ETCHING

저작시기 2009.04 |등록일 2012.02.18 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 17페이지 | 가격 1,000원

소개글

공학 레포트

목차

Etching(식각)이란?
Etching(식각)의 종류
Wet Etching(습식식각)
Wet Etching의 처리 방식
Wet Etching의 특성
각종 박막에 대한 Wet Etching의 적용
각종 박막의 Wet Etching 특성
Wet Etching의 문제점과 해결방법
Wet Etching 장∙단점

본문내용

Oxide Etching(Si산화막 식각)

SiO₂ + 6HF(aq) -> H₂SiF?(aq) + 2H₂O
이 반응은 F?의 고갈에 의해 시간변화에 따라 균일성이 떨어지고 산화에 대한 식각률이 떨어져서 에칭특성을 안정적으로 유지하기 위해 완충HF용액을 첨가 ( 49%HF : 40%NH₄F = 1 : 8 )

Poly Si Etching (다결정Si 식각)

3Si + 4HNO₃ + 18HF -> 3H₂SiF?(aq) + 4NO(g) +8H₂O
-(반응식1)
Si + 2H₂O + 2OH? -> Si(OH)₂(O?)₂ (aq) + 2H₂(g) -(반응식2)
반응식 1의 경우, 산화제와 부식제로 에칭 시 일어나는 반응(여기서 HNO₃는 산화제, HF가 부식제)
반응식 2의 경우, NH4OH로 직접 Si을 처리, Surface Roughness기가 급격히 나빠질 수 있으므로 주의가 필요

참고 자료

없음
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