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다이오드

저작시기 2011.12 |등록일 2012.01.18 한글파일한컴오피스 (hwp) | 81페이지 | 가격 5,000원

소개글

만점자료입니다.

목차

Ⅰ. 실험목표 1


Ⅱ. 다이오드 모델 변수 분석 1


Ⅲ. 다이오드 측정 및 모델 변수 추출 15

1. 기본 측정 (@300K) 15
1). Si 측정 및 모델 변수 추출 15
2). GaAs 측정 및 모델 변수 추출 21

2. 온도 변화에 따른 Diode 특성 26
1). Si 측정 및 모델 변수 추출 26
2). GaAs 측정 및 모델 변수 추출 50

3. Diode connected BJT 67
1). Open BJT 67
2). Short BJT 72

Ⅳ. 결론 및 고찰 79

본문내용

◆ 추출법
전류의 근사식 을 log에 대한 식으로 나타내면,
가 되어, 의 그래프에서 직선으로 나타난다. 그래프에서 직선 영역의 기울기는 가 되고, y절편은 가 되므로 이로부터 , 을 구할 수 있다.

☞ Is값을 변화시키면서 정전압 구간의 전류 특성을 위의 그래프로 나타내었다. Is값에 따라 정전압에서 전류가 급격히 증가하는 지점이 달라지며 Is가 클수록 전류값이 커진다. 아래에 역전압 및 정전압 구간의 log scale 그래프를 나타내었다.


☞ 위의 그래프는 Saturation current의 온도 의존성을 나타낸 것이다. 온도가 증가할수록, 는 급격하게 증가하는 양상을 보인다. 위에서 나타내었듯이 의 식에서 (intrinsic carrier concentration)가 온도에 따라서 증가하기 때문에 또한 증가하게 되는 것이다.
수식
If vd > vmax
idexp = [Imax + (vd - vmax) × gmax]
gdexp = gmax
where
, (vt: thermal voltage)
☞ 시뮬레이션 parameter의 Imax 값에 따른 vmax와 gmax를 정의한 것이다. vmax는 전류가 Imax일 때의 vmax이며, gmax는 Imax일 떄의 small signal conductance이다. vd > vmax일 경우에 위의 식에 따라 선형 근사되어 시뮬레이션된다.

참고 자료

없음
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