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실험 8. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성

저작시기 2011.09 |등록일 2012.01.04 한글파일한컴오피스 (hwp) | 3페이지 | 가격 900원

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소개글

전자회로 실험 자료 입니다. 장수는 많지 않지만 A+ 받은 자료이고 피스파이스나 실험 캡춰 화면이 들어있습니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실험 이론

3. 실험 결과
1) 트랜지스터의 형태, 재료, 단자의 결정
2) 컬렉터 특성

4. 결론 및 고찰

본문내용

1. 실험 목적
1. 디지털 멀티미터를 사용하여 트랜지스터의 형태, 단자, 재료를 결정한다.
2. 실험적 방법을 사용하여 트랜지스터의 컬렉터 특성을 조사한다.
3. 트랜지스터의 의 값을 결정한다.
2. 실험 이론
트랜지스터는 2개의 P형(혹은 N형)실리콘 반도체 사이에 한 개의 N형(혹은 P형) 실리콘반도
체가 접합 되는 실리콘 결정으로 구성된다.
회로소자 표시에는 전류의 방향을 표시하기 위해서 이미터(emitter)에 화살표를 붙인다.
이미터, 베이스, 컬렉터 전류를 IE ,IB, IC로 표시한다. 또 기호 VEB, VCB, VCE는 각각 이미
터-베이스, 컬렉터-베이스, 컬렉터-이미터 사이의 전압을 나타낸다.
바이폴라 트랜지스터는 차단, 포화, 선형의 3가지 모드로 동작한다. 각 모드에서 트랜지스 터의 물리적 특성과 그것에 연결된 외부회로는 트랜지스터의 동작점에 영향을 미친다. 차 단모드에서는 오픈 스위치와 유사한 장치로 이미터에서 콜렉터로 단지 작은 양의 역방향 전류가 흐른다. 포화모드에서는 콜렉터에서 이미터로 최대의 전류가 흐른다. 이 전류의 양 은 트랜지스터에 연결된 외부회로에 의해서 제한된다. 이 동작은 단락된 스위치와 비슷하 다. 이들 두 동작 모드는 디지털 회로에서 이용된다.
최소 왜곡을 가지는 증폭작용에는 트랜지스터 특성의 선형영역이 사용된다. DC전압은 선 형영역의 중간 혹은 근처에 동작점을 설정하기 위해 베이스-이미터 접합에는 순방향으로, 베이스-콜렉터 접합에서는 역방향으로 인가된다.

참고 자료

없음
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