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Photo lithography(포토 리소그래피)

저작시기 2011.09 | 등록일 2011.12.20 한글파일 한컴오피스 (hwp) | 5페이지 | 가격 1,000원

소개글

Photo Lithography

목차

1. Photo Lithography의 정의
2. Photo Lithography의 공정
3. Photo Lithography의 Resolution

본문내용

1. Photo Lithography의 정의
▶Lithography란?
Litho(돌) + graphy(그림, 글자)의 합성어로 석판술을 뜻하며 반도체 공정에서는 집적회로제조과정에서 마스크(mask)상의 회로패턴을 웨이퍼(wafer)의 위에 옮기는 공정이다. 시스템 집적 반도체를 포함한 기억소자, 마이크로프로세서 등의 실리콘 소자, LCD 및 MEMS 등에 이용된다. 종류로는 Photo Lithography, Soft Lithography 등이 있다.
▶Photo Lithography
광학적인 방법을 이용한 Lithography로 물질 위에 빛을 사용하여 패턴을 남긴다. 반도체에서는 회로를 빛을 이용하여 박막이 형성된 웨이퍼에 입히는 공정이다. 미세한 패턴을 사용하는 것이 집적도 향상에 직접적인 영향을 미친다.


2. Photo Lithography의 공정

우선 일반적으로 wafer cleaning과 barrier layer formation은 Photo Lithography전의 준비 단계로 그 이후부터가 진정한 공정이라 보면 되겠다.
① wafer cleaning
우선 photo resist전에 웨이퍼의 표면을 깨끗하게 하는 공정이다. 1970년 RCA사가 발표한 공정이 기본을 이루고 있으며, 현재도 이를 기본으로 다른 옵션을 첨가하여 많이 사용한다. 그래서 일반적으로 wafer cleaning process를 RCA process라 부르기도 한다. RCA 공정으로는 Piraha solution(Surfuric
acid peroxide mixture; SPM) / DHF(Diluted HF) solution / rinse의 배합을 많이 사용한다.
우선 Piranha solution(황산(H2SO4)과 과산화수소수(H2O2)를 적정비율로 섞어 사용(대체로 4:1))으로 wafer

참고 자료

없음
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