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LED의 발광원리, LED제조공정, LED 광효율, 조명용어 설명, LED조명 시장, 국가별 정책 전망

저작시기 2014.12 |등록일 2011.12.04 | 최종수정일 2018.02.19 파일확장자어도비 PDF (pdf) | 84페이지 | 가격 2,000원

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소개글

LED칩과 LED조명 전반에 대한 지식을 제공하기 위한 문서로 LED조명회사 및 대리점 기술영업담당자 교육용 자료로 제작되었음.

목차

<1 부> LED 조명의 원리와 이론
1. LED 조명의 특장점
2. 조명에너지 절약의 효과
3. LED조명 발전전망과 관련 기술
4. LED 란 ?
5. LED 발광원리
6. 화합물 반도체의 종류
7. LED 화합물 종류와 광색깔
8. LED 칩의 구조
9. 백색LED 구현 방법
10. LED 램프의 구조
11. High Power LED 램프의 구조
12. LED 램프의 종류
13. 반도체의 사용원소와 응용영역
14. 조명의 단위
15. 색온도와 연색성 지수
16. CIE 색좌표
17. 파장의 종류와 색
18. 조명등의 종류
19. 발광방식에 따른 조명등의 종류
20. 조명등의 발전단계
21. 백열등과 형광등의 발광원리
22. HID 램프의 발광원리
23. 램프별 특성 비교
24. LED램프의 수명

<2 부> LED 제조 기술 개요
1. LED 제조 단계별 공정
2. LED 제조 공정별 핵심사항
3. LED 제조 공정
 1) water 제조
 2) EPI 공정- GaN 박막 형성
 3) 칩제조
 4) 패키지 공정
4. LED칩 설계상의 주요 기술과제
5. LED 발광효율
6. LED 발광효율 증대에 기여하는 요소
7. 광 추출 효율 증대 방안
8. 패키지의 진화에 따른 광출력 증가
9. 열의 방출
10. LED 칩의 방열 설계
11. 웨이퍼종류별 열전도율
12. 버티컬 LED

<3 부> LED 시장분석과 정책
1. LED 조명의 응용 분야
2. 조명등과 LED전구의 발전 과정
3. LED 조명시장의 성장
4. LED 응용분야 확대
5. 백색 LED의 시장 전망
6. 하이츠의 법칙
7. LED칩의 수요시장 변화
8. LED 수요기기별 시장변화
9. LED 응용분야
10. 한국의 LED 정책 동향
11. 외국의 LED 정책 동향
 1) 미국
 2) 유럽연합
 3) 중국
 4) 일본
12. 주요 LED 공급업체
 1) 현황
 2) 시장 점유율
13. LED 특허 공동 사용과 제휴망
14. 한국의 LED 산업체
15. LED산업 신성장 동력화 발전 전략
16. LED 조명기기 시장과 보급 시나리오
17. 주요국가의 LED 전략
18. LED 국가전략

2. 조명등의 발전 과정
3. 백색 LED의 시장 전망
4. 하이츠의 법칙
5. LED칩의 수요시장 변화
6. LED 수요기기별 시장변화
7. LED 정책 동향
8. 주요 LED 공급업체
9. 주요 LED업체의 시장 점유율
10. LED 특허 공동 사용과 제휴망
11. LED산업 신성장 동력화 발전 전략
12. 주요국가의 LED 전략
13. LED 국가전략

본문내용

- LED(Light Emiting Diode)는 화합물 반도체(예: GaP, GaAs)의 pn 접합 다이오드에 순방향 전류가 흐를 때 빛을 발하는 현상을 이용한 소자를 말한다. p형 반도체 측에 +극, n형 반도체 측에 -극을 접속하면 p측의 정공은 n측에, n측의 전자는 p측으로 이동하여 pn 접합점에서 전자와 정공이 결합하면서 전자가 에너지를 방출하여 빛이 발광하는 화합물반도체이다.
-광도 (Candela (cd) )
광원으로부터 나오는 어떤 방향에 있어서의 광의 강도
기본단위 : Candela (cd) (= lm/sr)1 Candela는 1 촉광(Candelpower)과 거의 같으며  1 Candela의 점 광원에서는 총 4π(≒12.57) Lumen의 빛을 발한다.
광도(I) =광속(F) / 광속을 포함하는 입체각(ω)  즉,1 cd  = 1 lm/sr
(예) 태양 2.8 x 1027 (cd), 3파장형광램프(32w) 310 (cd)
-LED 제조는 Wafer(기판) 공정에서 시작된다.
Wafer는 경쟁력 확보를 위해 현재의 높은 원가를 낮추는 저가형 재료 개발에 몰두하고 있다. Wafer의 크기가 2인치에서 4인치까지로 확대됨에 따라, 얇은 두께에서도 평판도를 안정적으로 유지하는 점이 최대 관건이다. 많이 쓰이는 기판은 사파이어(Al2O3), 와 SiC 이다.

참고 자료

없음
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