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결과보고서- 실험5 트랜지스터 증폭회로 1

저작시기 2011.03 |등록일 2011.03.19 한글파일한글 (hwp) | 8페이지 | 가격 1,000원

소개글

트랜지스터 증폭회로

본문내용

3.3 고찰
이론값과 측정값에 많은 차이가 있었다. 이것은 전압이득 rc/re`가 1/3정도로 작았음을 나타낸다. 부하저항을 10k으로 했을 때와 100k의 저항으로 했을 때 이론값과 거의 같은 비율로 100k에 걸리는 출력전압이 증가했는데 이것은 트랜지스터의 출력을 이론적으로 계산하더라도 실제로는 증폭률이 현저하게 떨어짐을 나타낸다. 이번실험의 경우 re`이 이론값과 같을 경우 22-23옴 정도의 낮은 값을 가진 것으로 계산했으나 실제로는 트랜지스터의 이미터 다이오드의 저항이 그보다 커서 증폭률이 크게 감소한 것으로 보인다.
4. 위 실험과 같은 회로를 준비하고 트랜지스터3개를 회로 안에 바꾸어 가면서 출력의 차이를 관찰하라. 결과를 정리하고 이들 결과로부터 사용된 트랜지스터의 교류전류 증폭율이 대략 얼마인지 계산하여 보라.
트랜지스터의 증폭률은 거의 일정했다. 교류 증폭률은 100k의 부하저항의 경우 3.2V/50mV = 64, 10k의 경우 2.5V/50mV = 48 정도로 부하저항에 따라 큰 차이를 보였다.
5. 에미터 접지저항을 삽입한 효과가 구체적으로 어떻게 나타나는지 기술하라. 또한 예비보고서에서 예측한 값과 실측한 값 간의 차이가 두 경우에 어떻게 다른지, 그리고 그 이유는 무엇인지 기술하라.
⇒ 에미터 저항을 삽입하게 되면 안정적인 증폭률을 얻을 수 있다. 이전의 실험의 경우는 커패시터에서 교류접지되므로 작은 이미터 다이오드 저항(re`)를 이용 높은 증폭률을 얻을 수 있으나
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