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실험 2. CMOS 회로의 전기적 특성 예비보고서

저작시기 1997.01 |등록일 2011.01.11 한글파일한글 (hwp) | 6페이지 | 가격 1,000원

소개글

CMOS 회로의 전기적 특성

목차

없음

본문내용

실험 2. CMOS 회로의 전기적 특성
예비보고서
※ 참고 : JOHN F. WAKERLY의 DIGITAL DESIGN 3.3~3.7절을 참고하시오. 파라메터의 정의는 가능한 한 수식으로 쓰시오.
(1) CMOS Inverter의 동작에 대해 설명하시오. 또한, CMOS NAND 게이트와 NOR 게이트의 회로도를 그려 보시오.

(중략)

(4) Schmitt-trigger inverter가 noise의 영향을 덜 받는 이유를 설명하시오.
- Schmitt-trigger : 입력이 Low에서 High로 혹은 High에서 Low로 변하느냐에 따라 스위칭 임계치를 이동시키기 위해 내부적으로 귀환을 사용하는 특수회로이다. 입력이 2.9V에 도달 할 때까지는 출력이 Low로 가지 않고, 출력이 Low가 되면 입력이 2.1V 감소되기 전까지는 High로 가지 않는다.
- 히스테리시스(hysteresis) : 로 표시되는 양방향 입력변화의 임계치는 2.9V이고 로 표시되는 음방향 입력변화에 대한 스위칭 임계치는 2.1V이다. 두 임계값 차이를 히스테리시스(hysteresis)라 한다.
히스테리시스가 없는 정상의 인버터는 양방향 및 음방향 천이의 스위칭 임계치로 의 값을 갖는다. 따라서 잡음이 있는 입력 전압이 스위칭 임계치를 지날 때 아래 (b)의 그림과 같이 많은 출력 변화를 가져온다. 하지만 슈미트 트리거 인버터는 히스테리시스가 잡음의 크기보다 크기 때문에 잡음에 응답하지 않게 되는 것을 그림 (c)를 통해 알수 있다.
(5) 실험 자료실에 올려진 74HC04N, SN74HC14의 데이터시트를 출력하여 예비 보고서에 포함시키고 실험에서 참고 자료로 사용하시오.
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