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쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성예비

저작시기 2010.01 |등록일 2010.04.27 한글파일한글 (hwp) | 2페이지 | 가격 2,000원

소개글

쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성예비

목차

1. 실험 목적
2. PSPICE 및 이론설명.
3. 실험순서

본문내용

1. 실험 목적

-디지털 멀티미터(DMM)을 사용하여 트랜지스터 종류(npn, pnp), 단자, 재료를 결정한다.
-실험적으로 트랜지스터의 출력특성 특성을 조사한다.
-트랜지스터의 α와β의 값을 결정한다.

2. PSPICE 및 이론설명.


그림 7-2. 트랜지스터 출력(컬렉터) 특성 실험 회로
<전류가 10uA 일때>


그림 7-2. 트랜지스터 출력(컬렉터) 특성 실험 회로
<전류가 20uA 일때>

※트랜지스터에 대한 실험은 가장 첫 번째로 다이오드스케일을 사용해서 트랜지스터의 다이오드 검사를 실시한후 표 7-1에 기입한다.

※위의 pspice 회로는 BJT 출력 특성 실험 회로로써, 모든 데이터를 얻고난후에 Ic(Ic = VR / Rc)의 값을 계산하고, IE(IE = IC + IB)의 값을 계산한다. 트랜지스터의 콜렉터 특성 곡선을 나타내기 위한 실험 값들을 적는것이고, 특성곡선을 이해하고자 한다.
또한 α(α = IC / IE)와 β(β = IC / IB)의 변화를 통해서 α 와 β의 관계를 실험을 통해서 알아볼수 있고,또한 β의 βmax의 경우엔 VCE가 커지는 것을 알수있고,
β가 min일 경우엔 VCD 또한 비례하는것도 알수있다.

3. 실험순서
1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
다음 실험순서는 트랜지스터의 형태, 트랜지스터의 단자 그리고 재료를 결정할 것이다. 실험에 멀티미터에 있는 다이오드테스팅 스케일이 사용될 것이다.
ⓛ 그림 7-1의 트랜지스터 단자 1,2와3의 명칭을 적어라. 이 실험에서는 단자의 명칭이 없는 트랜지스터를 사용하라

② DMM의 스위치 선택을 다디오드 스케일로 두어라.
③ DMM의 양 리드를 단자 1에 미터의 음 리드를 단자 2에 연결하고 읽혀진 값을 표 7-1에 기록하라.
④ 단자를 반대로 하고 읽혀진 값을 표 7-1에 기록하라.
⑤ DMM의 양 리드를 단자 1에, 미터의 음 리드 단자 3에연결하고 읽혀진 값을 표 7-1에 기록하라.
⑥ 단자를 반대로 하고 읽혀진 값을 표 7-1에 기록하라.
⑦ DMM의 양 리드를 단자 1에, 미터의 음 리드를 단자 3에 연결하고, 읽혀진 값을 표 7-1에 기록하라.
⑧ 단자를 반대로 하고 읽혀진 값을 표 7-1에 기록하라.
⑨ 두 단자 사이의 DMM 값은 DMM 단자가 연결된 극성 관계없이 높게 나타날 것이다. 이 두 단자 모두 베이스는 아니다. 위를 기초로 표 7-2에 베이스 단자의 번호를 기록하라.
⑩ 음의 리드를 베이스에 연결하고 양의 리드는 다른 두 단자중의 하나에 연결하라. 만약 DMM에 표시된 값이 낮다면 (근사적으로 Si는 0.7V, Ge 은 0.3V 거나 더 낮은 저항) 트랜지스터의 형태는 pnp의 경우 순서⑪(1)로 가라. 만약 표시된 값이 높다면 트랜지스터의 형태는 npn의 경우 ⑪ (2)로 가라.
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