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트랜지스터

저작시기 2009.12 |등록일 2010.04.23 한글파일한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 500원

소개글

트랜지스터 실험 입니다

목차

1.실험목적
2.실험이론
3.실험방법
4.참고자료-트랜지스터

본문내용

1.실험목적
트랜지스터에 대한 전반적인 이해와 NPN Type과 PNP Type의 트랜지스터를 실험적으로 알아본다.
2.실험이론
반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순서는 다음과 같다.1) 베이스로 유입된 바이어스가 이미터로 흘러나간다. 이것을 ib라고 한다. 2) ib가 흐르고 난 다음 컬렉터로 유입되는 다량의 전류가 이미터로 흐른다.(증폭률에 비례한 배율의 전류가 흐름) 그런데 PNP는 다음과 같은 경로를 거치게 된다. 이미터로 흘러 들어가 베이스로 흘러나간다. 이유는 통상적으로 전류 역시 전압처럼 플러스 전극에서 나와 마이너스 전극쪽으로 흘러간다고 정의되어(실제로는 반대라고 함) 있으므로 NPN의 바이어스 구조를 보면 컬렉터에 플러스 이미터에 마이너스를 공급하여 작동하지만 PNP 의 경우 반대로 이미터에 플러스 컬렉터에 마이너스를 공급하여 작동하는 구조를 가지고 있기 때문이다. ib가 흐르고 난 후 이미터로부터 흘러 들어가는 다량의 전류가 컬렉터로 흘러나간다. Ib는 베이스 전류라는 의미이다.컬렉터로 흘러 들어가는 전류는 ic이고, 이미터로 흘러나가는 전류는 ie이다.



3.실험방법
1) input characteristic Measuring Ib and Ube
-위의 그림과 같이 회로를 연결한 후 1k 의 전위차를 조정하여 base-emitter-voltage
Ube를 0V로 만든다.
-접압을 주의하여 점점 증가시켜 Ube 와 Ibe의 값을 수식에 맞춰 각각 표1에 기록한다.
2)Control characteristic :measuring Ic and Ib ,parameter Uce
-위의 그림처럼 회로를 연결한 후 멀티미터를 이용하여 Ic를 측정한다
-Uce의 전압값을 측정하고 값을 표2에 기록한다
-1k의 전위차를 최소화 하여 Ib를 조정한다
-Ib의 값을 주의하여 증가시켜 Ib와 Ic의 값을 수식에 맞춰 표2에 기록한다.
3)Output characteristic :measuring Ic and Uce,parameter Ib.
-위와 같은 회로를 구성하고 앞의실험에서 1k를 47k로 바꾼뒤 1c와 1k 사이에 220옴을 연 결한다.
-Ib값을 측정하여 수식을이용해 표3에 기록한다.
-220옴의 전위차를 최소화하여 Uce를 조정한다.
-Uce값을 주의하여 증가시켜 Uce와 Ic값을 수식을이용하여 표3에 기록한다.
4.참고자료-트랜지스터
트랜지스터는 두 개의 반도체 접합부를 서로 아주 근접하도록 형성시켜서 만든다. npn트랜지스터는 그림 5-6(a)와 같은 두 개의 n형 물질과 p형 물질로서 구성되어 있다. n형물질의 한 영역을 콜렉터(collector), 그리고 또 다른 n영역은 에미터(emitter

참고 자료

- http://www.roboblock.co.kr
- 전자회로 실험 매뉴얼
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