검색어 입력폼

반도체 확산층을 이용하여 1.2㏀저항기를 설계하라.

저작시기 2009.12 |등록일 2010.04.21 한글파일한글 (hwp) | 2페이지 | 가격 5,000원

소개글

반도체 확산층을 이용하여 1.2㏀저항기를 설계하라.

목차

없음

본문내용

P의 농도가 인 N형 실리콘 에서 B를 확산하여 PN접합을 형성했다. B의 표면농도를 용해도로 제안할 때, 의 접합깊이를 실현하기 위한 확산시간을 계산하고, 또한 인 N형 반도체에 B의 두단계 확산법에 의해 집적회로에서 저항기가 만들어진다. 측정된 접합깊이 이고, B의 표면농도는 이다. 확산영역의 시이트저항을 구하고, 1.2㏀ 저항의 크기를 결정하라. 여기서 확산영역의 최소폭은 0.5mil이다.

P의 농도가 인 N형 실리콘 에서 B를 확산하여 PN접합을 형성했다. B의 표면농도를 용해도로 제안할 때, 의 접합깊이를 실현하기 위한 확산시간을 계산하고, 또한 인 N형 반도체에 B의 두단계 확산법에 의해 집적회로에서 저항기가 만들어진다. 측정된 접합깊이 이고, B의 표면농도는 이다. 확산영역의 시이트저항을 구하고, 1.2㏀ 저항의 크기를 결정하라. 여기서 확산영역의 최소폭은 0.5mil이다.
다운로드 맨위로