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MOSFET 스위치

저작시기 2010.04 |등록일 2010.04.17 | 최종수정일 2014.05.28 한글파일한글 (hwp) | 9페이지 | 가격 1,500원

소개글

MOSFET 스위치 결과 레포트

목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 장비 및 재료
4. 실험절차 및 결과 분석
5. 오차이유
6. 문제
7. 토의

본문내용

1. 실험 제목
MOSFET 스위치

2. 실험 목적
․ MOSFET의 드레인 특성을 실험적으로 결정한다.
․ MOSFET의 증폭기의 바이어스 방법을 알아본다.
․ MOSFET의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.

3. 실험 장비 및 재료
․ 전원 : 가변 dc 전원(2개)
․ 계측기 : Oscilloscope, 전류계, 멀티미터, 함수발생기
․ 반도체 : IRF713 (n channel MOSFET)
․ 저항 : 2 0.22Ω, 5 33Ω, 1/4 1㏀
․ 커패시터 : 100uF 25V
․ 기타 : 방열판 (T0-220 기판용 소형), 3mmФ * 10mm 볼트, 3mmФ 너트, 3mmФ 스프링와셔

4. 실험절차 및 결과 분석

1. 함수발생기 파형을 구형파로 하고, 주파수는 100Hz, 파형대칭(Symmentry)을 조정하여 파형의 +극성 주기가 -극성 주기의 1/10이하가 되도록 하라.
=>
파형대칭비 (Duty Cycle , Symmetry)는 파형의 1 주기에서 기준 Level 에서 파형의 시간 간격의 비율을 말한다. 이번 실험에서 1/10의 비율을 주었으나 실험할 때 1/5정도의 비율이 최대가 되어 1/5정도로 맞추어 실험 하였다.


2. MOSFET의 각 단자를 확인하고 그림 7.1의 회로를 구성하라. Vin이 접속되기 전에 드레인 전류가 흐르면 게이트와 소오스 사이에 1kΩ을 연결하라. 함수발생기의 출력전압을 2Vpp이하, Vdd=0V로 한다. MOSFET는 방열판을 부착하여 실험 중 MOSFET이 온도상승을 억제 시키도록 한다.

참고 자료

-전자회로 7판 14장
-전자회로 실험 교재 #7
-데이타 시트, http://www.alldatasheet.co.kr/
-http://ko.edaboard.com/topic-933512.0.html
-http://ask.nate.com/qna/view.html?n=9937196
-http://ask.nate.com/qna/view.html?n=3665519
-http://strin.egloos.com/448874
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