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CdS : Cu/CdS 동종접합박막 구조를 이용한 light emitting diode(LED) 구조의 제작 및 특성평가

저작시기 2009.04 |등록일 2010.04.12 한글파일한글 (hwp) | 7페이지 | 가격 1,500원

소개글

CdS : Cu/CdS 동종접합박막 구조를 이용한 light emitting diode(LED) 구조의 제작 및 특성평가 입니다.

목차

1. 실험목적
2. 이론적 배경
3. 실험장치 및 재료
4. 실험방법
5. 실험결과 및 고찰

본문내용

1. 실험목적
Ⅱ-Ⅵ 족 화합물 반도체는 가시광선 영역에서 발광효과를 얻을 수 있는 재료로써 그 가능성이 크게 주목되어왔다. 그러나 효율이 좋은 발광 소자를 제작하는데 필수적인 낮은 저항을 가지는 박막과 p-n 접합을 얻지 못해 실용화되는데 문제점으로 제기되고 있다.
이번 실험에서는 Ⅱ-Ⅵ 족 화합물 반도체 중에서 현재 다양한 분야에 응용되고 있는 CdS(Cadmium sulfide) 박막을 용액성장법을 이용하여 형성하고, 이를 이용한 간단한 발광소자를 직접 제작하여 봄으로써 반도체 소자의 원리와 특성에 대하여 이해한다.

2. 이론적 배경
1)LED의 개념
LED(Light-Emitting Diode)는 p-n접합 다이오드의 일종으로 순방향으로 전압이 걸릴 때 단파장광(monochro-matic light)이 방출되는 현상인 전기발광효과(electrolumincence)를 이용한 반도체소자이다. 즉 순방향 전압 인가시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하면서 전도대(conduction band)와 가전대(valanceband)의 높이차이인 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산 하는데 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며 빛의 형태로 발산되면 LED가 된다.

2)LED의 제조공정
3)p-n다이오드
p형 반도체와 n형 반도체가 결합된 형태를 p-nwjq합이라 하고 전극을 붙인 p-n접합을 p-n다이오드라고 한다.
p-n접합 다이오드의 p형 반도체 쪽에 (+)전원을 n형 반도체 쪽에 (-)전원을 연결할 때 순방향 전압이 걸렸다고 말하고 이때 다이오드를 통하여 큰전류가 흐른다
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