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마이크로심을 이용한 cmos분석 및 파형, 회로도

저작시기 2009.04 |등록일 2010.04.07 한글파일한글 (hwp) | 22페이지 | 가격 2,000원

소개글

<목표>

☞ 트랜지스터의 채널 폭 변화에 따른 CMOS Inverter의 상승시간, 하강시간, 전달지연시간 의 변화를 관찰하여 이론으로 배운 개념을 시뮬레이션을 통해 확인할 수 있다.

☞ micro sim 프로그램을 숙달하여 설계 시 원하는 회로구성에 대해 좀 더 효과적으로 사 용할 수 있도록 연습한다.


<회로도>

목차

1. CMOS Inverter Simulation
2. CMOS 2-input NAND/NOR Gate Simulation
3. Pass Transistor Simulation
4.CMOS Transmission Gate Simulation

본문내용

1. CMOS Inverter Simulation


<목표>

☞ 트랜지스터의 채널 폭 변화에 따른 CMOS Inverter의 상승시간, 하강시간, 전달지연시간 의 변화를 관찰하여 이론으로 배운 개념을 시뮬레이션을 통해 확인할 수 있다.

☞ micro sim 프로그램을 숙달하여 설계 시 원하는 회로구성에 대해 좀 더 효과적으로 사 용할 수 있도록 연습한다.

<실습-1>
◉ wp의 변화 < 2.2um~10um> 에 따른 inverter의 특성변화 Simulation

<실습-1>
◉ wp의 변화 < 2.2um~10um> 에 따른 inverter의 특성변화 Simulation

◉ wn의 변화 < 2.2um~10um> 에 따른 inverter의 특성변화 Simulation

wn의 변화에 따라서 하강시간에 영향을 주는데, wn가 가장 큰 2.2um일때 가장 빨리 하강하는 파형을 관찰해 보았다. 반대로 wn가 가장 큰 10um일때 가장 천천히 하강함을 확인 하였다.
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