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BJT , MOS 트랜지스터 조사

저작시기 2010.02 |등록일 2010.04.03 한글파일한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 500원

소개글

BJT , MOS 트랜지스터 조사

목차

BJT
MOS
완벽조사

본문내용

BJT 트랜지스터
트랜지스터는 그림 처럼 PNP형태를 가지고 있다. 진공관이 3개의 전극 Anode,Grid,Cathod로 구성되어 있는것처럼 트랜지스터는 Collector,Base,Emitter의 3개의 전극으로 구성되어 있다. 기본적인 작용은 Emitter에서 출발한 정공이 Collector에 도달하게 되면 전류가 흐르게 된다. 3극 진공관이 Grid에 의해 전류를 제어하는 것과 마찬 가지로 트랜지스터에서는 Base에 의해서 전류를 제어하게 된다. Base에 어떠한 저항 값이 전해지느냐에 따라서 Emitter,Collector의 저항값이 변하게 된다. 즉 저항값을 Base에서 바꿀 수 있다는 개념에서`tranfer register`에서 `transistor`가 된 것이다.

BJT(Bipolar Junction Transistor)는 두 종류의 것이 있다.
PNP 트랜지스터는 Emitter,Collector가 P형 반도체 물질로 구성되어 있고 Base는 N형 반도체 물질로 구성 되어 있다. 아래 그림의 회로 기호로 보면 화살표 방향이 있는 부분이 항상 Emitter가 된다. 화살표 방향은 전류의 방향을 나타낸다.

아래 그림에서와 같이 NPN 트랜지스터는 PNP와 서로 반대의 구조를 가지고 있다. 이는 반도체에 Doping하는 물질이 서로 반대이다. Emitter, Collector 는 N형 반도체, Base는 P형 반도체물질로 구성되어 있다.

참고 자료

없음
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