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JFET 특성(예비,결과포함)

저작시기 2010.04 |등록일 2010.04.03 한글파일한글 (hwp) | 6페이지 | 가격 600원

소개글

기초전자회로실험 시간에 실험한 JEFT 특성 실험 예비,결과 레포트 입니다.

목차

1. 목적
2. 실험장비
3. 장비 목록
4. 이론개요

본문내용

3. 장비 목록
DMM, 직류전원공급기
4. 이론개요
접합 전계효과 트랜지스터(JFET)는 단극 전도소자이다. 전류캐리어는 n채널 JFET에서는 전자 p채널 JFET에서는 정공이다. n채널 JFET에서 전도로는 n형 불순물을 첨가한 Ge 혹은 Si이고, p채널 JFET 전도로는 p형 불순물을 첨가한 Ge 혹은 Si이다. 채널을 통한 전도는 채널과 반대로 불순물이 첨가된 영역에 의해 생성된 공핍영역에 의해 제어되어 진다. 채널은 각각 드레인과 소스라고 부르는 두 단자에 연결되어 진다. n채널 JFET에 대해서 채널에 관례적인 전류의 흐름을 설정하기 위해서 드레인은 정(+)전압에 연결되고, 소스는 부(-)전압에 연결된다. p채널 JFET에 대해 인가전압의 극성은 n채널 JFET의 그것과 반대이다.
게이트 단자로 언급되는 세번째 단자는 공핍영역 의해서 드레인과 소스 단자 사이에 존재할 수 있는 채널 폭을 조절하는 기구를 제공한다. n채널 JFET에 대해, 게이트-소스 전압이 음(-)이 될수록, 채널의 폭은 작아지고, 결과적으로 드레인-소스 전류는 더 작아진다.
이 실험은 다양한 전압과 JFET에 흐르는 전류 사이의 관계를 확립할 것이다. 이 관계의 성질은 JFET의 적용 범위를 결정한다.

5. 실험순서
1) 포화전류 IDDS와 핀치오프 전압 VP의 측정
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