검색어 입력폼

양자역학의 역사와 슈레딩거방적식 유도, 반도체소자 적용

저작시기 2009.03 |등록일 2010.04.02 한글파일한글 (hwp) | 7페이지 | 가격 300원

소개글

양자역학의 역사에 대해 정리하였고 슈레딩거방적식 유도하였습니다.

또한, 이를 반도체소자 적용했습니다. A+받았습니다.

목차

1. Compare the properties of amorphous Si, polycrystalline Si and single crystal Si materials and find applications for each Si material.
2. Find an example of utilizing heteroepitaxial films of compound semiconductor and its
application.
□ Heteroepitaxial film의 대표적 예
□ HEMT (High Electron Mobility Transistor)

본문내용

(1). Mobility=
1. 는 만들려는 생산품의 스피드를 결정한다.
2. Single crystal Si는 구조적으로 결함이 거의 없기 때문에 전자의 이동이 빠르게 일어난다.
따라서 빠른 속도를 필요로 하는 Memory device나 Micro processer에 적합한 구조이다.
3. Amorphous crystal Si와 Polycrystalline Si의 는 Single crystal Si보다는 약간 떨어진다.
그래서 TFT-LCD를 만드는데 쓰인다.

(2). Substrate
1. 가장 유명한 Display 기판으로는 Glass Substrate를 말할 수 있다.
2. Glass Substrate에 deposit을 할 때, Glass Substrate구조 자체가 Amorphous crystal구조이기 때문에 Single crystal구조는 deposit을 할 수가 없다.
3. Amorphous crystal Si와 Polycrystalline Si중에 같은 구조를 가진 Amorphous crystal Si가 좀 더 deposit 하기가 수월하다.
4. 하지만 요즘에는 Polycrystalline Si로 옮겨가는 추세이다. 이 구조가 빠른 트랜지스터를 만들 수 있고,좀 더 나은 LCD를 만들 수 있기 때문이다.

2. Find an example of utilizing heteroepitaxial films of compound semiconductor and its
application.

Heteroepitaxial film
기판재료의 원자와 다른 구조를 가진 원자를 성장시키는 Epitaxial성장 법에 의한 film.

특징
□ 기판과는 다른 재료이기 때문에 구성원자, 결정구조, 격자상수가 다르다.

□ 성장할 때 박막으로 올라가는 구조의 격자상수가 기판과는 다르기 때문에 strain에 의해 조절이 되면서 성장을 하게 된다.

□ Lattice mismatch가 4% 이하여야 가능하다.

참고 자료

물리학과 역사(양승훈 편저)
자연과학개론(최병석 저)
현대물리학(Arthur Beiser)
고체전자공학(Ben G.streetman, Sanjay Kumar Banerjee)
http://www.kps.or.kr/home/kor(한국물리 학회)
http://blog.naver.com/amourhsh?Redirect=Log&logNo=120008647090
다운로드 맨위로