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PRAM의 연구동향

저작시기 2009.09 |등록일 2010.03.30 파워포인트파일MS 파워포인트 (pptx) | 16페이지 | 가격 1,500원

소개글

차세대 메모리 소자인 PRAM에 대한 이론, 작동 원리와 최근 연구동향

목차

Ⅰ. PRAM의 개발 필요성
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성
Ⅳ. PRAM의 개발동향

본문내용

Ⅰ. PRAM의 개발 필요성
DRAM의 소형화가 더이상 어려울 것이라는 전망
비휘발성, 고속, 고집적화 요구
P램은 비휘발성이며 고집적이 가능하다는 장점
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 (1)
칼코게나이드(Ge2Sb2Te5: GST)합금이라고 하는 특수한 얇은 박막 소재를 사용
메모리 소자는 칼코게나이드 화합물과 저항 소자로 구성
인가 전압을 가하는 것으로
비결정질 상태와 결정 상태의 변화
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 (2)
비결정(amorphous) 상태에서는 저항치가 높아지고, 결정(crystal) 상태에서는 저항치가 낮아지는 특성
2개의 상태를 제어해서 바꾸는 것으로, “1”과 “0”의 논리를 기억 보유
전기적 가열로 상변화/ 100ns 이하 속도
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 (2)
◀결정 상태와
비결정 상태
변환 모식도
◀각각의 TEM image▶
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 (3)
결정화된 셋(SET) 상태에서는 낮은 저항의 금속과 같은 거동
비정질화된 리셋(RESET) 상태에선 저항이 높음
리셋 상태에서 문턱전압 이상의 전압이 인가되면 특성이 반전
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 (4)
결정 상태로부터 전류를 높여 가면, 일정 값을 넘은 시점에서 비정질 상태
비정질 상태로부터 전류를 높여 가면, 다가 다시 비정질 상태
Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 (5)
정보기억(비정질상태): 기록층의 일부분을 전기적 가열 또는 빛 조사 방법으로 녹인 후 급속하게 냉각
정보삭제(결정상태): 상변화를 일으키는데 필요한 일정 시간 동안 결정 온도 보다 약간 더 높은 온도를 인가

참고 자료

특허청, ‘차세대 메모리,  P램 특허출원 활발’



♦ 특허청, ‘특허로 본 차세대 반도체 선두주자는 P램’



♦ ETRI , ‘PRAM 기술 전망’
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