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인버터 제어법

저작시기 2009.01 |등록일 2010.03.28 한글파일한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 1,000원

소개글

실험

목차

․ SCR(Silicon Controlled Rectifier)
․ MOSFET
․ IGBT
․ P.I.D 제어

본문내용

실리콘 제어정류기라고 부르기도 하며 실리콘 제어정류기의 한 종류로 보기도 한다. 양극(anode)·음극(cathode)·게이트(gate)의 3단자로 구성되어 있으며, 게이트에 신호가 인가되면 지속적인 게이트 전류의 공급 없이도 주 회로에 역전류가 인가되거나 전류가 유지전류(holding currrent) 이하로 떨어질 때까지 통전상태를 유지한다.
p-n-p-n 4층 구조를 가지며, 1950년대 말에 개발되어 오늘날 6,000V 이상의 전압을 견딜 수 있고, 3,000A 이상의 전류를 제어할 수 있다.

[장점]
․ 소전력(낮은전압*소전류)로 대전력(고전압*대전류)을 제어할수 있다.
․ 자기유지형 소자이다:
게이트를 트리거해서 한번 Turn ON 시키면 게이트 신호가 없어져도 에노드 전류가 홀드전류 이하로 떨어지기 전까지는 계속 유지된다.
․ 교류제어(위상제어.ON/OFF제어)가 용이하다.
․ 펄스성 대전류를 흘릴 수 있다.
예를 들면 3A짜리 SCR의 경우 펄스폭 20us, 200pps에서 150A의 펄스전류를 흘릴 수 있다.
․ 릴레이에 비해 응답속도가 빠르다.

[단점]
․ 트랜지스터에 비해 스위칭 속도가 낮다.(수십KHz이상 사용이 어렵다)
․ GTO(Gate Turn Off 형 SCR)를 제외 하고는 게이트 신호에 의해 OFF할수 없다.
․ ON상태의 손실이 트랜지스터에 비해크다.
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