검색어 입력폼

아주대학교 기초전기전자실험 과목-실험 6. RC, RL 회로의 과도 응답과 주파수 응답

저작시기 2009.12 |등록일 2010.02.19 한글파일한글 (hwp) | 10페이지 | 가격 1,000원

소개글

아주대학교 기초전기전자실험 과목

목차

실험 6.4.1 실험 6-1 : RC회로의 과도 응답과 DRAM의 동작 원리
6.4.2 실험 6-2: oscilloscope의 AC coupling과 신호의 왜곡
6.4.3 실험 6-3 : RC 회로의 주파수 응답과 필터
6.4.4 실험 6-4 : RL 회로의 과도 응답과 주파수 응답

본문내용

실험 6.4.1 실험 6-1 : RC회로의 과도 응답과 DRAM의 동작 원리
(1) RC 회로의 과도 응답
4. RC 시정수
[토의사항] ①저항이 커지면서 충전과 방전에 시간이 많이 걸리는 이유는? ②또 Capacitance가 커질수록 충전과 방전에 시간이 많이 걸리는 이유는? ③시정수로부터 구한 Capacitance 값과 Capacitor에 표시된 값이 잘 일치하는가? ④시정수의 측정에서 파형 발생기와 oscilloscope의 내부 저항이 미치는 영향은?
- ①저항이 커지면 충전과 방전에 시간이 많이 걸리는 이유는 저항R이 커질수록 전류값이 작아지게 되고, 이에 따라 C가 커지게 된다. RC로 나타나는 시상수에서도 알 수 있듯이 R이 커지면 시정수도 커지므로 시간이 많이 걸리는 것이다. ②마찬가지로 C가 커지면 시정수 공식에 따라 충⦁방전에 시간이 많이 걸리게 된다. ③시정수를 통하여 구한 C의 결과값과 계산값은 약간의 오차가 있지만 일치한다. ④RC회로의 시정수 정의를 통해 나타나는 RC값은 오실로스코프와 파형 발생기의 내부 저항에 의해서 이론값보다 조금 더 크게 나올 수 있다. 하지만 실제 실험에서는 capacitor의 값이 작게 나와서 큰 차이를 확인하지 못했다.

5.capacitor와 저항의 위치를 뒤바꾸었을 때
[토의사항] ①앞의 실험 과정 3에서 구한 파형과 어떻게 다른가? ②그리고 그 이유는?
- ①capacitor와 저항의 위치가 바뀐 뒤 측정한 출력 파형은 시정수가 상당히 짧아진 것을 확인할 수 있었다. ②그러한 이유는 직류성분이 없는 사각파 전압을 넣으니 위에 사진에서 나타나는 것처럼 일정 시간동안에서 나타나는 출력 파형이 주파수가 높아지고 많아짐을 확인할 수 있다.
(2) DRAM의 동작 원리
[토의사항] ①capacitor와 스위치로 기억소자를 만들 수 있는가? ②또, 읽고 나면 capacitor에 전하의 형태로 저장되었던 데이터가 없어져 다시 읽으면 ‘0’이 읽혀 원래의 데이터 ‘1’과는 달라지는데, 이 문제를 해결하는 방법은?
다운로드 맨위로