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Cockcroft Walton Voltage Multiplier

저작시기 2010.02 |등록일 2010.02.18 파워포인트파일MS 파워포인트 (pptx) | 14페이지 | 가격 1,000원

소개글

코크로프트 월튼 배전압 회로를 이용해서 DC고전압을 발생시킨다.

코크로프트 월튼 회로의 전압 승압 원리와 피스파이스를 이용하여

커패시터의 내압과 다이오드의 내압을 알아본다.

목차

코크로프트 회로의 원리

커패시터 충전까지 소요되는 시간

커패시터 내압

다이오드 내압

본문내용

이름 : John Douglas Cockcroft
국적 : 영국
활동분야 : 물리학
출생지 : 영국 북잉글랜드 토드모던
주요수상 : 노벨물리학상 (1951년)
활동내용 : 고전압 입자가속기에 의한 원자핵의 인공변환 연구 업적으로 1951년 E.T.S.월턴과 함께 노벨물리학상을 받았다.

커패시터 의 결정
내압 : 6.3kV
용량 : 680pF
50kV를 만들기 위해서 약 8층이 필요
-680pF의 커패시터를 병렬로 연결하여 용량을 늘려야한다.

내압 : 3.15kV
용량 : 2.7nF
50kV를 만들기 위해서 약 16층이 필요
-2.7nF의 커패시터를 병렬로 연결하여 용량을 늘려야한다.

참고 자료

이확주 외 3명, <주사전자현미경에서 가속전압의
안정성 연구>, (한국표준과학연구원 물질량 표준
연구부 2004), 51-59.

J.DAVID IRWIN, 김흥수 역, <회로이론>,(교보문고2008)

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