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반도체 공정별 사용 GAS 및 특성

저작시기 2010.02 |등록일 2010.02.08 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 9페이지 | 가격 2,000원

소개글

반도체 공정별로 사용되는 GAS 종류와 그 특성, 사용상 주의점에 대하여 기술한 자료입니다. 반도체에서 사용되는 많은 특수가스들에 대한 자료를 표로 정리하였습니다.

목차

1. 기상애칭
2. 플라즈마애칭
3. 이온빔애칭
4. 클리닝
5. 이온주입공정
6. 화학기상증착공정 / 에피탁시 공정
7. 어닐링 / 패시베이션 / 블랜컷팅

본문내용

염화수소
HCl
반응은 안하여도 물에 잘 용해
O2에 대해서 안정
F2와 세차게 반응 많은 금속과 반응하여 염화물과 수소 생성
수분 존재로 강산이 되며, 대부분 금속 부식 Baked carbon, graphite 사용 가능
불화수소
HF
물에 잘 용해 HF+KOH→KF+H20
발연성(90℃ 이상에서 Mist로 존재)
유리, 석영 등과 반응하여 녹임
폴리에틸렌, 구리, 백금 사용 가능 유리, 석영 등은 쉽게 침식
브롬화수소
HBr
물에 잘 용해
불연성(공기중 습기에 의해 연기 발연)
산소와 반응하여 물과 브롬 생성 O3와 폭발적으로 반응하여 수소 생성
염산보다 약한 산성
6불화황
SF6
반응 안함
불연성 (500℃ 이하에서 안전)
불순물이 섞일 경우 분해되면서 유독
높은 온도(500℃)에서도 분해 되지 않는장점으로 인해 전기절연용가스로 사용
염소
Cl2
Cl2+H2O↔HClO+HCl HClO→HCl+1/2O2
지연성
H2와 폭발적으로 반응 대부분 금속과 반응
Dry가스(액) : Steel, SUS, 주철, 동합금, 니켈합금, 연이 사용 가능 Wet가스:모넬,테플론,하스테로이C 가능
공정
가스명
분자식
물과의 반응성
연소성
기타물질과의 반응성
사용상의 주의

4불화규소
SiF4
불과 반응하여 H2SiF6, SiO2, H2O를 생성
불연성
600℃에서 SiCl4와 반응하여 SiClF3, SiCl2F2, SiCl3F 생성
산화 및 환원에 대하여 안정
4플루오르
CF4
약간 가수분해
불연성
가연성 가스와 혼합하여 점화하면 분해하여 유독가스 발생
부식성 없음
8플루오르
C3F8
약간 가수분해
불연성
가연성 가스와 혼합하여 점화하면 분해하여 유독가스 발생
부식성 없음
6플루오르
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