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PMOS와NMOS차이점

저작시기 2009.12 |등록일 2010.01.29 한글파일한글 (hwp) | 2페이지 | 가격 1,500원

소개글

1. PMOS와 NMOS의 차이점
NMOS : P형 기판에 - 채널을 형성시키기 위해 게이트에 + charge를 인가.
PMOS : N형 기판에 + 채널을 형성시키기 위해 게이트에 - charge를 인가.
NMOS PMOS
2. Poly-gate와 Metal-gate의 차이점.
1. 금속 Gate
최초의 MOS 기술은 게이트 재료로 알루미늄을 사용했다. 알루미늄의 낮은 용융점은 메탈 증착 다음에 오는 공정을 크게 제한시킨다. 텅스텐과 같은 내화성 강한 메탈이 셀프 얼라인드 메탈-게이트 MOS 공정의 실험에 사용되었다.

목차

1. PMOS와 NMOS의 차이점
2. Poly-gate와 Metal-gate의 차이점.
3. Enhancement와 Depletion의 차이점.

본문내용

1. 금속 Gate
최초의 MOS 기술은 게이트 재료로 알루미늄을 사용했다. 알루미늄의 낮은 용융점은 메탈 증착 다음에 오는 공정을 크게 제한시킨다. 텅스텐과 같은 내화성 강한 메탈이 셀프 얼라인드 메탈-게이트 MOS 공정의 실험에 사용되었다.
기본적인 금속-게이트 공정을 보면, 첫 번째 마스크는 소스와 드레인 확산의 위치를 지정하고, 확신이 끝난 후 두 번째 마스크가 얇은 게이트 산화막의 성장을 위한 창을 지정하기 위하여 사용된다. 세 번째와 네 번째 마스크는 접촉 개방과 금속 패턴의 윤곽을 나타낸다.
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