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전자회로실험 예비 레포트 #7-MOSFET 소스 공통 증폭기

저작시기 2007.05 |등록일 2010.01.29 한글파일한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 1,500원

소개글

MOSFET 소스 공통 증폭기

목차

1. 실험 목적
2. 기초 이론
3. 실험 부품 및 장비
4. 실험 & Simulation

본문내용

1. 실험 목적
① MOSFET의 드레인(drain) 특성을 실험적으로 결정한다.
② FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
③ MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정한다.

2. 기초 이론
MOSFET는 제작되는 방식에 따라 디플리션(depletion)형 또는 인핸스먼트(enhancement)형으로 구분된다.
① 인핸스먼트형 MOSFET : 인핸스먼트형에서는 드레인과 소스 사이에 채널이 형성되어 있지 않고, N형 드레인과 소스는 아래의 그림과 같이 P형 기판에 분리되어 있다. 게이트가 FET의 기판으로부터 절연되어 있기 때문에, MOSFET는 절연 게이트 FET(IGFET)라고도 한다. 물리적인 채널은 존재하지 않지만, 이 MOSFET를 N채널 인핸스먼트형이라고 한다. 게이트와 기판은 절연막에 의해 분리된 커패시터의 전극판 역할을 한다. 이러한 이유로 게이트가 기판에 접속된 소스에 대해서 정(正)이면 커패시터는 충전된다. 그리고 이때의 게이트가 정이기 때문에 드레인과 소스 사이의 반도체 표면에는 전자가 유도되어 채널이 형성되고, 소스-드레인 회로에 전류가 흐르게 된다.
게이트는 기판으로부터 절연되어 있기 때문에, 비록 게이트가 기판에 대해 (+)일지라도 직류 게이트에는 전류가 흐를 수 없으므로 MOSFET는 고임피던스 트랜지스터이다.
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