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전자회로실험 예비 레포트 #6 -MOSFET의 특성

저작시기 2007.04 |등록일 2010.01.29 한글파일한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 1,500원

소개글

MOSFET의 특성

목차

1. 실험 목적
2. 기초 이론
3. 실험 부품 및 장비
4. 실험 & Simulation

본문내용

1. 실험 목적
① 소자 문턱 전압과 소자 전도도 변수를 측정해 본다. half-wave rectifier)
② MOS 소자의 특성 커브를 측정해 보고, 이를 통해서 MOS의 여러 특성에 대해 알아본다.

2. 기초 이론
① 전계-효과 트랜지스터(FET) : FET에서는 두 단자 사이의 전압이 제3의 단자에 흐르는 전류를 제어하기 때문에 증폭기나 스위치로 사용될 수 있다. 주로 사용되는 FET는 MOSFET인데, BJT에 비해서 작게 만들 수 있고 제조 공정이 간단해서 MOSFET만으로 디지털 논리 기능과 메모리 기능을 실현할 수 있다.
② 전류 전도를 위한 채널의 형성 : NMOS 트랜지스터의 경우에는, 게이트가 소스에 대해서 양 전위를 가지고 있다면 자유 정공들을 채널 영역으로부터 밀어낸다. 이러한 정공들이 있던 자리에는 캐리어-공핍 영역이 남게 된다. 이때 양의 게이트 전압은 전자들을 n+소스 및 드레인 영역으로부터 채널 영역으로 끌어당기게 되고, 충분한 전자들이 게이트 아래의 기판 표면 근처에 축적되면서 n영역이 만들어져 소스와 드레인 사이를 전기적으로 연결 할 것이다. 임의의 전압이 드레인과 소스 사이에 인가되면 전류가 흐르는 채널이 형성되는데, 이때의 의 값을 threshold voltage라고 하고 로 표시한다.
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