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NMOS의 온도에 따른 특성 및 Parameter 값의 변화 측정

저작시기 2008.12 |등록일 2010.01.13 한글파일한글 (hwp) | 40페이지 | 가격 10,000원

소개글

STA를 이용해 반도체 소자의 특성을 측정하고 그에 따른 설계를 한다.
이 프로젝트에서는 NMOS의 온도에 따른 특성 변화를 측정하고 Parameter 값의 변화를 알아본다. 또한, 반도체실험 교재에 제시된 Parameter 이외에 소자 내의 Capacitance와 Resistance를 나타내는 Parameter를 측정하는 방법을 제시한다.

STA data 첨부, 그래프 첨부

목차

1. 설계 목표
2. 소자 및 측정 장치 설명
3. NMOS Parameter 측정 및 추출(28°C-실험실 온도)
4. 온도에 따른 NMOS 특성 및 Parameter 변화
5. 결론

본문내용

1. 설계 목표
NMOS의 온도에 따른 특성 변화를 측정하고 Parameter 값의 변화를 알아본다. 또한, 반도체실험 교재에 제시된 Parameter 이외에 소자 내의 Capacitance와 Resistance를 나타내는 Parameter를 측정하는 방법을 제시한다.



2. 소자 및 측정 장치 설명
(1) NMOS(MC14007)
3. NMOS Parameter 측정 및 추출(28°C-실험실 온도)

(1) CGSO & CGDO 측정

① CGSO 측정
NMOS Parameter 중 하나인 CGSO는 Gate와 Source 사이의 Capacitance를 의미한다. 측정 방법은 Precision LCR Meter를 이용해서 Gate와 Source에 각각 단자를 물려 그 사이의 Capacitance 값을 측정한다. 이 때 Drain은 Floating을 시킨다.

☞ CGSO = 3.93 [pF]


② CGDO 측정
CGDO는 Gate와 Drain 사이의 Capacitance를 의미한다. 측정 방법은 Precision LCR Meter를 이용해서 Gate와 Drain에 각각 단자를 물려 그 사이의 Capacitance 값을 측정한다. 이 때 Source는 Floating을 시킨다.
(2) RD & RS 측정

① RD 측정
NMOS Parameter 중 하나인 RD는 Drain 내부의 저항을 의미한다. 측정 방법은 STA의 SMU1을 Gate에 SMU2를 Drain에 연결하고 VM1을 Source에 연결한다. 그 다음 측정하려는 Gate를 Common Mode로 바꾸고 Drain의 전류를 변화시키면서 VD와 ID 사이의 관계를 측정한다. 그 후 VD - ID 그래프의 직선영역의 기울기를 구해 RD 값을 결정한다.
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