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학습지도안-디지털전자회로

저작시기 2010.01 |등록일 2010.01.07 한글파일한글 (hwp) | 57페이지 | 가격 4,000원

소개글

정보통신기사 및 산업기사 자격취득 과정의 디지털전자회로 과목 학습지도안 입니다.

목차

제 1 장 . 반도체 이론
1
제 2 장 . 전원 회로
2
제 3 장 . 트랜지스터 저주파 증폭회로
7
제 4 장 . 전계효과 트랜지스터(FET)
11
제 5 장 . 증폭기 주파수 응답 및 다단 증폭기
13
제 6 장 . 고주파 증폭회로
16
제 7 장 . 궤환증폭회로
19
제 8 장 . 연산증폭회로
21
제 9 장 . 대신호 증폭기
25
제 10 장 . 발진회로의 기본원리
27
제 11 장 . 변복조 회로
32
제 12 장 . 펄스 회로

본문내용

학습목표
반도체 물성의 이해
과 제
도체, 반도체, 부도체를 구분하시오.
◎ 학습내용 ◎
제 1장 반도체 이론
(1) 반도체의 성질
① 정류작용
② 부(-)의 온도계수
③ 광전효과
④ 불순물이 증가하면 저항 감소
⑤ Hall 효과
◎ 도핑(doping) : 불순물 첨가
◎ 반도체 진성 반도체 : 순수한 4가의 원소 ( Ge, Si )
전자()의 수 = 정공()의수 (절연체와 같음)
불순물 반도체 n형 반도체(n : negative ) : 순수한 4가의 원소에 5가의 불순물(As, P, Sb) 첨가
① 과잉전자
② 다수반송자 : 전자 (), 소수반송자 : 정공 ()
③ 5가의 불순물 → 도너(doner) , 도너 원자는 이온을 뜀
p형 반도체( p : positive) : 순수한 4가의 원소에 3가의 불순물(Ga, In) 첨가
① 부족전자
② 다수반송자 : 정공 소수반송자 : 전자
③ 3가의 불순물 → 억셉터(acceptor) , 억셉터 원자는 이온을 뜀
◎ 페르미준위
(그림 1) 진성반도체와 불순물 반도체의 페르미준위
특 징
① 진성 반도체는 온도에 관계없이 항상 금지대 중앙에 위치
② 불순물 반도체는 온도가 상승하면 금지대 중앙으로 이동
정보통신설비과정 이론 학습지도안
훈 련 과 정
정보통신설비
훈련기간
3개월/6개월
훈 련 과 목 명
디지털 전자회로
관련교재 및 참고자료
대단원
제 1장 반도체 이론
디지털 전자회로
소 단 원
- 다이오드의 종류 및 특성
학습목표
여러 가지 다이오드의 특징을 안다.
과 제
(2) PN 접합 다이오드
● 확산 전류 : 농도나 밀도에 의하여 전자가 이동
●드리프트 전류 : 전계(전압)에 의하여 전자가 이동
① 순방향 바이어스 : P형 쪽에 (+), N형 쪽에 (-) 전압을 인가
ⓐ 전위장벽이 낮아진다..
ⓑ 공간 전하 영역의 폭이 좁아진다.
ⓒ 전장이 약해진다.
② 역방향 바이어스 : P형 쪽에 (-), N형 쪽에 (+) 전압을 인가
ⓐ 전위 장벽이 높아진다..
ⓑ 공간 전하 영역의 폭이 넓어진다.
ⓒ 전장이 강해진다.
③ 제너 항복 : 터널 효과에 의한 항복 현상. 항복전압 6[V]이하
④ 애벌란치 항복 : 이온화 충돌에 의한 항복현상. 항복전압 6[V]이상
⑤ 다이오드 모델
⑥ 제너다이오드 → 정전압 제어소자
⑦ 터널다이오드 → 부성 저항영역을 가짐 : 불순물 농도를 대단히 크게
특징 : ㉠ 역바이어스 상태에서 훌륭한 도체
㉡ 작은 순바이어스 상태에서 저항은 대단히 작다.
㉢ 부성저항(dV/di<0)를 가진다.
⑧ 배리스터(Variable + Resistor) : 전압증가 → 저항감소 전압감소 → 저항증가
⑨ 베랙터 다이오드(Varactor Diode) : 가변 정전용량 다이오드라고도 함
→ 역방향 전압에 따라 정전용량 C 가 가변( )
⑩ 쇼트키 다이오드 : 한쪽은 금속 다른 한쪽은 반도체( 대부분 n형)를 접합
→ 주로 고속 스위칭에 이용( 다수만 동작하므로)
⑪ 더어미스터(Thermistor) : 부(-)의 온도계수를 갖고 있으며, 온도에 따라 저항이 변화하는 소자(T↑, R↓).
⑫ 트랜지스터(Transistor) E(Emitter ; 에미터), C(Collector ; 콜렉터), B(Base ; 베이스)
정보통신설비과정 이론 학습지도안
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