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디지털 bjt 에대해

저작시기 2008.11 |등록일 2010.01.07 한글파일한글 (hwp) | 6페이지 | 가격 1,000원

소개글

디지털 bjt 에대해

목차

트랜지스터는 전기 신호를 증폭․제어․발생하는 데 사용하는 고체 소자
★Bipolar Junction Transistor의 동작원리★
FET와 BJT의 일반적인 특성비교
FET의 성질
BJT의 성질
* Bipolar Junction Tr

본문내용

트랜지스터는 전기 신호를 증폭․제어․발생하는 데 사용하는 고체 소자이다.
트랜지스터는 비소나 붕소 등 여러 가지 불순물을 실리콘에 첨가하여 여러 층의 반도체로 이루어져 있다. 이와 같은 불순물에 의해서 전류가 실리콘 내부를 이동하는 방법을 변화시키게 된다. n-형 반도체에서는 전하의 운반자가 주로 자유전자가 되며, p-형 반도체에서는 양공(즉 3개의 외각전자를 가지는 붕소원자가 4개의 외각전자를 가지는 실리콘을 대체하면 빈공간, 즉 양공이 공유전자 에너지 띠에 생기게 됨) 반도체의 양공은 전자와 유사하게 움직이는데 양의 전하를 띠기 때문에 전자와는 반대방향으로 움직인다. 트랜지스터의 종류에는 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)와 전계 효과 트랜지스터(FET)가 있다. BJT는 2개의 p-n 접합으로 이루어져 있는데 전자와 양공이 전도과정에 관여한다는 점에서 쌍극성이며 입력전류에 따라서 출력전압이 쉽게 변화된다. 이러한 유형의 트랜지스터는 증폭기로 널리 사용되며 발진기, 고속 집적회로, 스위칭 회로에서 핵심 부품이다.
BJT와 달리 FET는 단극성 소자이다. 즉 전도과정이 주로 1가지의 전하 운반자에 의해서 이루어진다. FET의 종류로는 금속-산화물-반도체 전계 트랜지스터(MOSFET)와 접합 전계 효과 트랜지스터(junction field-effect transistor/JFET)가 있다. 1980년대 중반 이후 MOSFET가 중요도 면에서 BJT를 능가하고 초고밀도 집적회로(VLSI)에서 널리 사용되게 되었다. FET는 BJT에 비해서 소모전력이 작을 뿐만 아니라 크기를 소형화하기가 더욱 용이하다. FET의 다른 유형으로서 상업적으로 중요한 것으로는 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET)와 이와 밀접한 JFET가 있다. MESFET는 아날로그와 디지털 회로 양자에서 사용할 수 있는데 마이크로파 증폭분야에서 특히 유용하다

* BJT(Bipolar Junction Transister: 쌍극성 접합 소자)라 함 말그대로 극성이 다르게 접합된 부분이 2군데로 구성이 되어 있는 트랜지스터이며, MOSFET(Metal Oxide Si. Field Effect Transister : 전계 효과 소자)와 함께 대표적인 반도체 소자이다. MOSFET는 게이트 전압이라는 제어 전압으로 전류를 통제하여 동작을 하게하며 BJT는 베이스 단(그외 다른 단)전류로써 이를 동작을 제어하는 소자이다. 이에 대한 간략한 비교를 하자면 MOSFET BJT 특징 majority carrier에 의한 소자이며 Unipolar Tr.이다. Gate Voltage에 의한 depletion range의 변화에 focus를 맞춘 소자. BJT보다 잡음이 적다. minority carrier에 의한 소자이며 Bipolar Tr.이다. minority carrier injection에 focus를 맞춘 소자. MOSFET보다 이득이 크다.
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