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반도체기술동향, 반도체, 최신기술동향, 물리전자, 반도체공학

저작시기 2008.12 |등록일 2009.01.05 한글파일한컴오피스 (hwp) | 14페이지 | 가격 3,000원

소개글

반도체관련 강의 시간에 반도체기술최신동향에 관해 작성한 레포트

목차

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 공정 기술동향

Ⅲ. IC 통합 동향

Ⅳ. 웨이퍼 동향

Ⅴ. IC 패키징 동향

Ⅵ. 결 론

본문내용

반도체 기술 동향


IC 회로의 복잡성과 기능성에 대한 요구가 점점 더 커지면서 이를 해결하기 위해 기술들이개발되고 있다. 공정기술에 있어서는 실리콘 기반의 MOS, 바이폴라, BiCMOS/BCD, SOI 기술과 GaAS, SiGe 공정기술 등이 다양한 어플리케이션의 요구에 부응하여 계속 발전하고 있다. 또한 기존의 SiO2를 대신하여 구리 및 저유전율 재료가 고려되고 있으며, 웨이퍼는 300mm로의 이행이 진행 중이다. 패키징 기법에 있어서는 SOP가 가장 지배적이며, 마이크로프로세서와 ASIC 소자에서의 강세로 BGA의 성장률이 높게 나타나고 있다.



I. 서 론

IC회로의 복잡도와 기능성은 끊임없이 계속 높아져 왔다. 오늘날의 IC는 수 천만 내지는 수억 개의 트랜지스터를 하나의 칩 위에 올려놓을 정도로 상당히 복잡하며, 10억 트랜지스터의 칩이 나오는 것도 조만간 가능해질 것이다.
이런 현상이 언제까지 지속될 수 있을지에 대한 질문은 지금까지 수없이 제기되어 왔지만, 새로운 기법들이 발견되고 공정 강화 기술들이 개발되면서 언제나 난관은 극복되어 왔다. 그러나 오늘날의 기술 진보 수준과 과거의 수준 사이에는 한 가지 중요한 차이점이 있는 것으로 보인다. 즉, 오늘날 산업은 여러 가지 커다란 난관을 동시에 극복해야 하는 현실에 직면해 있다. 제조업체들은 더욱 더 작은 트랜지스터에의 끊임 없는 추구로 인해 한때 무시되던 스케일링 문제를 다룰 수 있어야 할 뿐만 아니라, 구리 도체나 저유전율 절연재료(low-K insulators)와 같은 완전히 새로운 배선 재료를 다룰 수 있는 방법도 배워야 하고, SiGe와 같은 화합물 반도체 회로를 설계하며, 300㎜와 같은 더욱 큰 웨이퍼로 이행해야 하고, 점점 더 늘어나고 있는 익숙하지 않은 패키지 유형들 중에서 선택해야만 한다. 한편 새로운 칩 설계를 시장에 내놓을 수 있는 기회가 줄어듦으로써 이러한 새로운 기술들을 채택하는 데 있어 한 발이라도 잘못 디디면 사업상 막대한 손실을 입을 수도 있는 것이다.

참고 자료

없음
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