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CVD 합성을 통해서 SWCNT(single wall carbon nanotube) 배열

저작시기 2009.11 |등록일 2009.12.27 한글파일한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,000원

소개글

SWCNT의 배열은 CVD 합성법을 통해 이루어질수 있다. 독립된(isolated)혹은 다발로 엮여진(small-bundle) SWCNT는 FCCVD 합성(floating catalytic CVD)을 통해 얻어지며 이는 Si 기판위에서 자라나게 된다(deposition). 이때 특정 전극을 이용하여, 전기장을 걸어줌으로써 우리는 SWCNTs의 배열을 얻어낼수 있다.

목차

1. 개략적 과정
2. 단계별 과정
1) FCCVD 내에서 SWCNT의 합성
2) 금 전극과 산화된 실리콘 기판을 이용해서 SWCNT 배열.
3. 전기장의 영향
4. 결 론

본문내용

원하는 위치에 SWCNT(Single wall carbon nanotube)을 원하는 방향으로 배열하게 만드는 것은 상당히 어려운 작업이며, 이는 지금까지 여러 연구자들에 의해서 연구되어지고 있다. 예를 들면, SWCNT의 전기적인 성질을 이용한다던지 혹은 SWCNT가 자라나는 Substrate의 표면 성질등을 이용하는 등 여러 가지 방법이 논의되고 있다. 그중에서 일정전기장 아래, SWCNTs을 배열하는 법을 설명하고자 한다.

1. 개략적 과정
SWCNT의 배열은 CVD 합성법을 통해 이루어질수 있다. 독립된(isolated)혹은 다발로 엮여진(small-bundle) SWCNT는 FCCVD 합성(floating catalytic CVD)을 통해 얻어지며 이는 Si 기판위에서 자라나게 된다(deposition). 이때 특정 전극을 이용하여, 전기장을 걸어줌으로써 우리는 SWCNTs의 배열을 얻어낼수 있다.
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