검색어 입력폼

BJT 기본 특성 실험

저작시기 2006.04 | 등록일 2009.12.15 | 최종수정일 2015.09.08 한글파일 한컴오피스 (hwp) | 7페이지 | 가격 800원

소개글

BJT 기본 특성 실험 후 작성한 실험보고서 입니다.
성의있게 자세히 작성한 보고서라 도움이 될 것입니다.

목차

1.실험제목
2. 실험목적 및 배경이론
●실험목적
●실험 방법
●배경이론
3. 실험결과
<BJT 의 I-V 특성 실험>
1) Ic-VBE 특성 실험
2) Ic-VCE 특성 실험
●결과 분석 및 토의사항

본문내용

1.실험제목
BJT 기본 특성 실험
2. 실험목적 및 배경이론
●실험목적
BJT 트랜지스터의 전류-전압 (I-V) 특성을 실험을 통해 이해한다.
●실험 방법
1. 그림 3-2 회로를 구성한다. VBE 앞단에 10k옴 저항을 연결한다.
2. VCE를 1V로 맞추고, VBE 값을 0V~1.0V 까지 0.1V씩 증가시키면서 Ic의 값을 멀티미터로 측 정한다.
3. VBE 값을 1V, 2V, 3V, 4V, 5V 로 고정한 상태에서, VCE 값을 0V~5V 까지 1V 씩 증가 시키면서 Ic 값을 측정한다.
4. 두 실험의 특성곡선을 그린다.
●배경이론
Bipolar Junction Transistor 는 두 개의 pn-junction 이 서로 역방향으로 직렬 연결된 구조를 가지고 있는 트랜지스터이며, Base 전류로 Collector 전류를 제어하는 전류제어 소자이다. 주로 Active 영역은 증폭기로 사용되고, Saturation 영역은 Switching 하므로 Logic Gate 등에 많이 이용한다.
BJT 의 기본 동작 및 전류 특성에 대해 자세히 알아보면,
Cut-off Region 은 EBJ 와 CBJ 둘다 reverse bias 가 걸린 것으로, 모든 PN 접합면이 역방향 바이어스 되어 부전류 운반자에 의한 매우 미세한 양의 전류만이 각 단자를 통하여 흐르며 회로가 끊어진 것과 같은 효과를



●결과 분석 및 토의사항
1. 측정한 값을 바탕으로 Ic-VCE 특성곡선을 그래프로 그리시오.
2. VBE=3V 일 때, 활성 영역에서의 Ic 곡선의 기울기를 구하고, 이를 계속 연장했을 때 VCE 축과 만나는 지점에서의 VCE 값을 구하시오. 그리고 전자회로 강의 교재를 참조하여 이 값이 무엇을 의미하는지 설명하시오.
위의 그림은 Microelectronic CIRCUIT 책의 p.400 의 그림이다.
실제의 Ic-Ice 특성곡선을 그려보면, saturation region 일 때, 일정한 값으로 유지되는 것이 아니라 약간의 slope을 가지고 있다는 것을 알 수 있다. 그 이유는 Early Effet라는 현상 때문인데, Early Effect란 Vce 가 증가함에 따라 Base 의 depletion 두께가 감소하고, 그에 따라서 Ic가 점점 증가하는 현상이다. 따라서 saturation region에서 전류값이 constant 한 것이 아니라 slope 을 가지게 되는 것이다. 이것을 위의 그림의 점선처럼 쭉 연장해서 Vce 축

참고 자료

없음
다운로드 맨위로