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반도체소자 및 이론

저작시기 2009.11 |등록일 2009.11.27 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 29페이지 | 가격 2,000원

소개글

전자공학-반도체

목차

주기율표
원자의 Bohr 모델
전자의 궤적과 에너지
원자의 결합
전자결합
공유결합
금속결합
고체의 에너지 준위
Si 나 Ge(반도체)의 공유결합
반도체의 격자구조
Si 나 Ge 의 공유결합에 대한 도식적 표현
열의 영향
생성과 재결합

본문내용

원자의 결합
원자의 결합시 전하의 평형을 이루려 한다(전자의 수=양자의수)
최외곽 궤적에는 8개의 전자가 있어야 한다(예외:헬륨은 2개)
원자는 자신의 상태를 안정화 시키기 위하여 반응 혹은 결합한다.
원자결합의 3가지 유형
전자결합(이온결합) : 한 원자가 다른 원자에 전자를 주면서 결합
공유결합 : 원자들이 전자를 공유한다.
금속결합 : 전자가 격자 구조 내를 자유롭게 이동할 수 있다.

n형반도체
제 5족 불순물 첨가(백만분의 1)
- 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)
전자가 추가됨 (주개 불순물)
제 5의 전자가 열 에너지를 흡수하여 도전성 준위가 된다.
즉, 도체가 된다

생성과 재결합
열에 의해서 반도체 내부에서는 정공과 자유전자가 생성된다.
자유전자와 전공의 수가 증가하여 특정 농도에 도달하면 전자중 일부는 기존의 정공과 결합한다.
주어진 온도하에서 계의 평형상태가 이루어 지면 전자/정공의 생성율은 재결합율과 일치한다.
온도가 상승하면 전자/정공의 농도는 증가한다

참고 자료

없음
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