검색어 입력폼

si wafer의 wet엣칭의 실험과정과 anisotropic결과 도출의 이유

저작시기 2009.10 |등록일 2009.11.12 한글파일한컴오피스 (hwp) | 21페이지 | 가격 3,500원

소개글

마이크로 시스템 공정의 실습과정을 리포트형식으로 작성한것입니다.
Si 웨이퍼를 Wet etching 하게 되면 Isotropic의 결과가 도출 되어야 하지만 실험을 하게 되면 Anisotropic의 결과가 나온다. 그 이유를 찾아보고
Etching 온도와 시간을 다르게 변화 시켰을 때 시간과 온도에 따른 변화를 관찰한 결과를 정리한 것입니다.

목차

Ⅰ. 실험의 목적

Ⅱ. 실험 내용

Ⅲ. 실험관련 이론

Ⅳ. 실험과정 및 방법

Ⅴ. 실험 결과 및 고찰

Ⅵ. 결론

본문내용

Ⅰ. 실험의 목적

1) Si 웨이퍼를 Wet etching 하게 되면 Isotropic의 결과가 도출 되어야 하지만 실험을 하게 되면 Anisotropic의 결과가 나온다. 그 이유를 찾아보아라.

2) Etching 온도와 시간을 다르게 변화 시켰을 때 시간과 온도에 따른 변화를 관찰하라.

Ⅱ. 실험내용
N-type(100) Wafer를 이용하여 Photo lithography process steps 을 진행 후 KOH etch을 통해 도출된 결과를 관찰한다.

Ⅲ. 실험관련 이론

1. Wet Etch
- Wet etch processes use aqueous etching solutions to selectively remove unwanted material from the wafer

2. Wet Etch process
① migration of etchant from solution towards wafer surface
② etchant locate onto the surface of the wafer
③ reaction of film and etchant
④ dissolved film and active etchant rinsed off etched wafer

5. Selectivity
- 선택도는 동일한 etch condition에서 다른 막보다 하나의 막이 얼마나 빠르게 etching 되는지를 나타낸다. 다른 재료의 etch rate에 비해서 상대적으로 etching 되는 재료의 etch rate로 정의 된다.
- 높은 선택도는 etching이 원하는 층에만 발생되는 것을 의미한다.

참고 자료

- 마이크로 시스템 공정(1)교제
- Google image
- http://www.wikipedia.org
다운로드 맨위로