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세대별 컴퓨터 발전 과정

저작시기 2001.10 |등록일 2009.07.03 한글파일한컴오피스 (hwp) | 2페이지 | 가격 500원

소개글

컴퓨터의 발전을 기억소자의 과정에 따라 세대별로 구분지어 설명함

목차

1. 제 1세대: (1945~1955)
2. 제 2세대: (1955~1964)
3. 제 3세대 : (1964~1970)
4. 제 4세대: (1971~1979)
5. 제 5세대:(1980~ )

본문내용

● 컴퓨터의 발전을 기억소자의
과정에 따라 세대별로 구분지어 설명

1. 제 1세대: (1945~1955)
ⓛ 기억소자 : 진공관(vacuum tube); 진공유리관 속에 2개 또는 3개의 전극을 넣은 전자부품. 크게 2극 진공관 3극 진공관으로 나눌 수 있다. ENIAC에서 18800개의 진공관과 1500대의 릴레이를 사용하였다.
② 기억장치 : 수은지연회로, 자기 드럼
③ 사용언어 : 기계어, 어셈블리
④ 특징 : 신뢰도가 떨어지고, 부피가 크다. 하드웨어 개발에 치중, 2진연산의 개념, 자료의 임의 접근

2. 제 2세대: (1955~1964)
① 기억소자 : ㉠ 트랜지스터(transistor); 이미터(emitter)와 콜렉터(collector)로 불리는 두 단자 사이의 전류 흐름을 베이스(base)단자의 전압에 따라 조정하여 증폭, 스위칭 역할을 수행한다. 재료는 게르마늄. 실리콘이 사용되며 현재에는 거의 실리콘으로 만들어진다. 종류는 양극성 트랜지스터와 단극성 MOS FET로 구분되는데 전자는 npn형과 pnp형으로 대별되고, 후자는 디지털 회로에 많이 이용된다.

참고 자료

없음
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