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이온플레팅

저작시기 2009.06 |등록일 2009.07.02 한글파일한컴오피스 (hwp) | 18페이지 | 가격 2,000원

소개글

박막재료 리포트, 이온플레팅에 대한 자세한 내용, 다른사람들거와 달리 피디에프 파일을 직접
타이핑 쳐서 만들었음, 레포트 작성시 첫페이지 둘째 셋째 페이지 남들과 다른 내용이 중요함
경기대

목차

1.서론
2.Ion plating 의 과정
3.Ion plaing막의 특징
4.Ion plating의 원리
5. Ion plating의 종류
6. Ion plating 장단점
7. Ion plating 코팅장비
8. Ion Plating 피막의 응용
10. 발전방향
참고문헌

본문내용

1.서론
PVD(Physical Vapor Deposition)는 진공(일반적으로 10-1~1Pa) chamber 내에서 물리적인 방법으로 원자, 이온, 분자를 발생시켜 모재에 증착시키는 방법을 말한다. 이것은 크게 Evaporation Process, Sputtering Process, Plasma-Asisted PVD(Ion Plating) 3가지로 나누어 진다.

중략..
5.2 thermionically assisted triode ion plating
이것은 dc-diode ion plating에 열전자를 방출할 수 있는 필라멘트를 첨가한 것이다.(그림4) dc-diode의 경우에는 약 10-1Pa 이하의 압력에서는 glow 방전이 일어나지 않지만, 열전자를 방출할 수 있는 열전자를 사용하면 여분의 전자(열전자)에 의해 이온화율을 증가시킬 수 있으므로 dc-diode보다 낮은 압력에서도 glow방전이 일어 날수 있다. chamber내에 Ar의 압력이 높으면 모재 흡수되는 Ar의 양이 많아지므로 별로 좋지 못한 결과를 초래한다. thermionically assisted triode ion plating의 장점을 정리하여 보면 (1)glow 방전의 조절이 용이 하고 (2) 상대적으로 낮은 인가전압을 사용할 수 있어 안전성이 우수하고 (3) 상대적으로 낮은 압력 하 에서도 glow방전이 일어날 수 있고 (4)상대적으로 낮은 압력을 사용하므로 모재에서 열 발생량이 감소한다.
5.3 High Vacuum ion plating
Ar이 모재에 미치는 영향을 줄이기 위해 즉 다른 processes보다 chamber내의 압력을 낮추기 위해 고안된 ion plating process이다. 그림 5에서 처럼 chamber내의 압력을 10-3~10-4 Pa로 유지되므로 glow방전이 일어날 수 없으므로 이온빔을 생성시키는 장치가 부가적으로 필요하게 된다. Ar의 영향을 줄일 수 있어 우수한 coating막을 얻을 수가 있지만 이 이온빔을 생성시키는 장비가 고가라는 단점을 가지고 있다.

참고 자료

없음
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