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리소크래피(lithography)패터닝 실험 보고서

저작시기 2009.04 |등록일 2009.06.29 워드파일MS 워드 (doc) | 9페이지 | 가격 1,500원

소개글

재료공학과 리소그래피 패터닝에 관한 보고서입니다..

에이 플러스 받았습니다.

목차

█ 이론적 배경
■ 실험진행 및 공정별 고찰
1. 실험 재료
2. 실험 진행 및 단계별 고찰

본문내용

█ 이론적 배경
Photolithography Process 정의와 목적
Photolithography 공정은 Photo resist 가 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변화하는 원리를 이용, 얻고자 하는 pattern의 mask를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 입사하여 mask의 pattern과 동일한 pattern을 Wafer 위에 형성시키는 공정으로 말할 수 있다.
이것을 세분화 하면 Photolithography 공정은 총 10단계로 나뉘어 진다.

우선 SiO2 증착된 Wafer를 세척하는 공정이다. 다음 단계로는 일반사진의 film에 해당하는 photo resist를 도포하는 PR Spin coating공정, PR을 임시로 굳히는 Soft bake 공정, mask를 이용하여 선택적으로 빛을 입사하여 PR에 Patterning을 입히는 Alignment & Exposure노광공정, 다음으로 Develop solution 을 이용하여 빛을 받지 않은 부분의 PR을 제거하는 Development 현상공정으로 구성된다. 다음 단계로는 Development 된 후 Wafer에 남아있는 Patternig 된 PR을 완전히 굳히는 Hard bake 공정 진행된다. Hard bake 공정 이후 Develop inspection 한다. 이후 Etch Process를 하여서 제거된 PR밑에 있는 SiO2를 제거하는 공정을 진행한다. 이후에 PR Stip Process를 진행한다. 이것은 반응되어진 PR을 제거하는 Process를 마지막으로 Photolithography 공정을 마친다.

Photolithography 이론 중점 사항
Photolithography Process 에서 모든 부분을 잘 숙지하고 있어야 하지만 본인의 생각에 가장 중요한 부분이 Exposure, Development, Etch, PR Stip 공정에서 어떤 부분이 제거 되고 어떠한 부분이 남아 있는지에 대해서 잘 알고 있어야 하는지에 대해서 알아야만 할 것 같다.

참고 자료

없음
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