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전력전자 레포트 [트랜지스터(Transistoe),MOSFET]

저작시기 2009.04 |등록일 2009.06.23 | 최종수정일 2016.08.27 한글파일한컴오피스 (hwp) | 5페이지 | 가격 300원

소개글

트랜지스터(Transistoe),MOSFET에대해
조사했던 레포트입니다.

목차

1. Transistor
2.MOSFET
3.참조
4.후기

본문내용

1. Transistor
(1)정의
트랜지스터는 1947년 미국 벨연구소의 윌리엄 쇼클리(Wiliam Shockley), 존 바딘(John Bardeen), 월터 브래튼(Walter Brattain)에 의해 처음 발명되었다. 보통 트랜지스터는 접합형 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor: BJT)를 의미하며 전기장 효과를 이용한 전기장 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET)가 있다.
트랜지스터는 규소나 게르마늄으로 만들어진 P형 반도체와 N형 반도체를 세 개의 층으로 접합하여 만들어진다. E(emitter)로 표시되는 에미터에서는 총 전류가 흐르게 되고 얇은 막으로 된 베이스(B; base)가 전류흐름을 제어하며 증폭된 신호가 컬렉터(C; collector)로 흐르게 된다. 접합의 순서에 따라 PNP형 혹은 NPN형 트랜지스터라 명명한다. NPN형인 경우 전류는 에미터 쪽으로 흐르고 PNP형인 경우 에미터에서 나가는 방향으로 전류가 흐른다. 이를 전자회로의 기호표기에서 전류방향을 화살표로 나타낸다.
트랜지스터의 전원 연결은 에미터 쪽에 그려진 화살표 방향으로 전류의 방향이 되도록 연결한다. 기본적으로 PN접합이 양쪽에 있는 형태이므로 다이오드에서와 같이 접합면에서 전자의 확산에 의해 공핍층이 생기고 결과로 공핍층 전기장이 생겨 더 이상의 전자의 확산을 막게 된다.

참고 자료

없음
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