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전자회로-트랜지스터 베이스 바이어스

저작시기 2008.05 |등록일 2009.06.21 한글파일한컴오피스 (hwp) | 6페이지 | 가격 800원

소개글

1. 실험목적
이 실험의 목적은 베이스 바이어스 회로에서 필요한 전압과 전류를 구하고 이들을 이용하여 직류부하선을 구하는 방법을 알도록 하는 것이다.
4. 실험과정
실험 1. (그림 1참조)
1) 그림 1과 같이 2N3904 트랜지스터를 사용하여 회로를 결선하고 전원을 인가한다.
2) 멀티미터를 이용하여 베이스와 컬렉터 저항양단의 전압을 측정하고, 옴의 법칙을 이용하여 전류를 구하여 기록한다. 또 βdc=Ic / IB 을 이용하여 트랜지스터의 직류전류이득을 구하여 기록한다.
3) 멀티미터를 이용하여 VB와 VCE를 개별적으로 측정하고 기록한다.
4) 실험순서 2에서 구한 βdc와 베이스-이미터 전압의 일반적인 값은 0.7V를 사용하여 계산한 기댓값을 실험순서 3과 비교하여 기록한다.
5) 이제 입김을 불어 트랜지스터의 온도를 변화시킨 후 다시 한번 멀티미터를 이용하여 컬렉터전류를 측정한다.

목차

1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 실험과정
5. 데이터표
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 9장에 대한 복습문제

본문내용

1. 실험목적
이 실험의 목적은 베이스 바이어스 회로에서 필요한 전압과 전류를 구하고 이들을 이용하여 직류부하선을 구하는 방법을 알도록 하는 것이다.
4. 실험과정
실험 1. (그림 1참조)
1) 그림 1과 같이 2N3904 트랜지스터를 사용하여 회로를 결선하고 전원을 인가한다.
2) 멀티미터를 이용하여 베이스와 컬렉터 저항양단의 전압을 측정하고, 옴의 법칙을 이용하여 전류를 구하여 기록한다. 또 βdc=Ic / IB 을 이용하여 트랜지스터의 직류전류이득을 구하여 기록한다.
3) 멀티미터를 이용하여 VB와 VCE를 개별적으로 측정하고 기록한다.
4) 실험순서 2에서 구한 βdc와 베이스-이미터 전압의 일반적인 값은 0.7V를 사용하여 계산한 기댓값을 실험순서 3과 비교하여 기록한다.
5) 이제 입김을 불어 트랜지스터의 온도를 변화시킨 후 다시 한번 멀티미터를 이용하여 컬렉터전류를 측정한다.
6) 이 회로에 대한 직류부하선의 포화점과 차단점을 구하고 기록한다. 그 후 직류부하선의 양쪽 끝점으로 포화전류 Ic(sat)과 차단전압 VCE(off)를 사용하여 직류부하선을 그린다. 다음으로 Ic와 VCE를 가지고 이 그래프에 Q점을 그려 넣는다.
7) 다른 2N3904 실리콘 트랜지스터를 사용하여 실험순서 2에서 5까지 반복하고 기록한다.
8) 브레드보드에서 전원을 떼어내고 560㏀저항을 1㏁ 가변저항기로 바꾸고 트랜지스터의 컬렉터와 접지사이에 전압계를 연결한다.
9) 이제 전압계에 나타나는 VCE값이 최대값(VCE(off)에 도달할 때까지 가변저항기를 돌리고 그 조건에서 컬렉터 전류(Ic(off)를 측정하여 기록한다.

참고 자료

없음
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