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전자회로-트랜지스터 이미터 바이어스

저작시기 2009.02 |등록일 2009.06.21 한글파일한컴오피스 (hwp) | 5페이지 | 가격 800원

소개글

결과 REPORT
실험 10. 트랜지스터 이미터 바이어스
1. 실험목적
이 실험의 목적은 이미터 바이어스 회로에서 필요한 전압과 전류를 구하고 이들을 이용하여 직류부하선을 구하는 방법을 알도록 하는 것이다.
4. 실험과정
실험 1. (그림 1참조)
1) 그림 1과 같이 2N3904 트랜지스터를 사용하여 회로를 결선하고 전원을 인가한다.
2) 멀티미터로 접지에 대한 베이스 , 이미터, 컬렉터 전압을 측정하고 베이스 및 컬렉터전류를 측정하여 기록한다. 그리고 이 두 개의 결과값을 토대로 이 실험에서 사용하고 있는 트랜지스터의 직류전류이득(βdc)을 구한다.
βdc=Ic / IB
3) 다음으로 VCE를 측정하고 그 후 실험순서 2에서 계산으로 구한 β와 베이스-이미터 전압의 전형적인 값인 0.7V를 이용하여 구한 기댓값을 기록한다.
4) 이제 입김을 불어 트랜지스터의 온도를 변화시킨 후 다시 한번 멀티미터를 이용하여 이미터전류를 측정한다.
6) 공식을 이용하여 이 회로에 대한 직류부하선의 포화점과 차단점을 구하고 기록한다. 그 후

목차

1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 실험과정
5. 데이터표
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 10장에 대한 복습문제

본문내용

4. 실험과정
실험 1. (그림 1참조)
1) 그림 1과 같이 2N3904 트랜지스터를 사용하여 회로를 결선하고 전원을 인가한다.
2) 멀티미터로 접지에 대한 베이스 , 이미터, 컬렉터 전압을 측정하고 베이스 및 컬렉터전류를 측정하여 기록한다. 그리고 이 두 개의 결과값을 토대로 이 실험에서 사용하고 있는 트랜지스터의 직류전류이득(βdc)을 구한다.
βdc=Ic / IB
3) 다음으로 VCE를 측정하고 그 후 실험순서 2에서 계산으로 구한 β와 베이스-이미터 전압의 전형적인 값인 0.7V를 이용하여 구한 기댓값을 기록한다.
4) 이제 입김을 불어 트랜지스터의 온도를 변화시킨 후 다시 한번 멀티미터를 이용하여 이미터전류를 측정한다.
6) 공식을 이용하여 이 회로에 대한 직류부하선의 포화점과 차단점을 구하고 기록한다. 그 후 직류부하선의 양쪽 끝점으로 포화전류 Ic(sat)과 차단전압 VCE(off)를 계산으로 구하고 그래프로 그려본다. 그 그래프의 Ic와 VCE에 근거한 동작점을 그려 넣는다.
7) 다른 2N3904 실리콘 트랜지스터를 사용하여 실험순서 2에서 5까지 반복하고 기록한다.
5. 데이터표
Data값에 대한 분석(결론)
이번 실험의 목적은 우리가 사용하는 NPN트랜지스터를 이미터 바이어스로 걸어준 다음, 일어나는 동작특성을 분석하고 특히 DC load line과 그곳에 위치하는 동작점(Q)의 위치가 조건에 따라 어떻게 변하는지, 그것이 DC β값과 어떤 관계가 있는지 알아보는 실험이었다.
우선 분석하기에 앞서 실험 책에 나와 있는 관련공식과 교과서에 나와 있는 관련공식이 뜻은 같으나 가정하고 분석하는 과정에서 약간의 차이가 나는 것을 확인할 수 있었고, 우리는 수업시간에 배운 교과서에 나있는 관련공식을 이용하여 분석해 보기로 하겠다. 먼저 회로를 위의 그림에서와 같이 설계한다. 이 때에도 무신호 회로에서의 이미터 바이어스를 가해주는 것으로써 신호발생기는 연결하지 않아도 된다. 우선 회로에서 접지, RB, Base-Emitter 다이오드, RE, VEE 순으로 구성된 폐회로부터 살펴보면 키프히호프의 전압법칙에 의해

참고 자료

없음
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