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식각 박막 실험 내용 요약정리

저작시기 2009.04 |등록일 2009.06.15 워드파일MS 워드 (docx) | 2페이지 | 가격 300원

소개글

실험 내용 요약정리입니다

목차

없음

본문내용

플라즈마 : 자기장을 통하여 방전시킴 ex) Ar
전체적으로 중성이나 모두 방전이 되지 않는다.
Radical → Ar 으로 가는 중에 빛을 내고 에너지를 낸다. 빛은 원소마다 다르다.
플라즈마인 Ar은 4가지 상태로 존재 : atoms, ions, electrons, radical

은색 SiO2 증착
녹색 Wafer

1A = 10-10m
3000A SiO2가 증착 → 5000A 증착하면 색깔이 변한다. 두께가 달라지면 색깔이 달라지기 때문에 색깔을 가지고 얼마나 증착되었는지 알 수 있다.

Lithography를 하는 이유 : 식각하고 싶은 부분과 분리하기 위해

Phtoresist : 빛을 비추면 강화되거나(negative PR), 약해지는(positive PR) & 없어지는 현상

Lithography를 한 후, hard bake를 함으로써 단단하게 만들어진다.(Lithography 공정 끝)

최종 모양을 통해 mask 패턴을 알 수 있다.

Etching의 분류

1. Physical : 식각이 되면서 Si가 남게 됨(재증착) → 불량이 일어날 가능성이 있음
2. Chemical
3. Hybrid : Chemical gas + 비활성 gas ex) C2F6(50%) + Ar(50%)


▷장비 사용
Air open → 물이 호스를 통해 흘러나옴.

참고 자료

없음
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