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IMPLEMENTATION TECHNOLOGY

저작시기 2008.11 |등록일 2009.06.05 한글파일한컴오피스 (hwp) | 5페이지 | 가격 1,500원

소개글

IMPLEMENTATION TECHNOLOGY
문제풀이 및 시뮬레이션.

목차

CMOS (Complementary MOSFET arrangement, 상보 대칭 MOSFET 배열)

NMOS (N-channel MOSFET-Metal Oxide Semic)

Multivibrator

본문내용

CMOS (Complementary MOSFET arrangement, 상보 대칭 MOSFET 배열)
: CMOS 회로 구성이 상대적으로 높은 입력 임피던스, 빠른 스위칭 속도, 그리고 낮은 작동전력 수준과 같은 특성을 지니므로 CMOS 논리 설계 (CMOS logic design)라는 새로운 체계가 생기게 되었다. 그래서 CMOS는 최근 대부분의 컴퓨터 마이크로칩 내에 집적되어 있는 트랜지스터들에 사용된 반도체 기술이다. 반도체는 실리콘과 게르마늄과 같은 반도체성 물질로 만들어진다. 불순물을 더함으로써 처리된 이러한 재질부위는 음전기로 충전된 여분의 전자들(N형 트랜지스터) 또는 양전기로 충전된 캐리어(P형 트랜지스터) 둘 중 하나의 전도체가 된다. CMOS 기술에서는 두 종류의 트랜지스터들이 효과적인 전기제어의 방법인 전류게이트를 이루기 위해 상호 보완적인 방법으로 사용된다.
CMOS 트랜지스터들은 어떤 경우에서든 드레인 전류()는 ‘off’된 트랜지스터에서의 누출값으로 제한되기 때문에 사용되지 않을 때에는 전력을 거의 소모하지 않는다. 그러나 전류의 방향이 더 빨리 바뀌기 때문에 트랜지스터들이 뜨거워지며, 이러한 특성은 마이크로프로세서들이 동작될 수 있는 속도를 제한하는 경향이 있다.

NMOS (N-channel MOSFET-Metal Oxide Semic)
: N채널·Enhancement MOSFET는 가 정의영역에서 드레인에 전류가 흐른다. 이것은 보통 NPN 트랜지스터와 똑같이 사용할 수 있다는 것을 의미한다. 실제로 NPN 트랜지스터를 MOSFET로 그대로 옮겨놓아도 정상동작하는 경우도 많다.
P채널·Enhancement MOSFET는 PNP 트랜지스터를 생각하면 좋을 것 이다.
이러한 특성은 게이트 전압으로 흐르는 전류를 switching 할 수 있으므로 최근에는 파워 MOSFET 라고 하는 것을 많이 사용한다. 기본적으로는 switching 트랜지스터와 똑같이 사용한다.

참고 자료

없음
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