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Schottky contact과 Ohmic contact의 특성측정

저작시기 2009.06 |등록일 2009.06.01 한글파일한컴오피스 (hwp) | 8페이지 | 가격 1,000원

소개글

Schottky contact과 Ohmic contact의 특성측정

목차

Ⅰ. 실험 목적

Ⅱ. 배경 이론
1. Ohmic Contact
2. Schottky Contact(=Rectifying contact)
3. n-type Ohmic Contact
4. p-type Ohmic contact
5. n-type Schottky contact
6. p-type Schottky Contact
7. p-type과 n-type에 도핑된 Al의 장벽높이계산(Barrier Height Calculation)

Ⅲ. 실험 과정
1. Sputter를 이용한 Al 증착
- p-type 기판위에 Al을 도핑한 I-V 특성 측정
- n-type 기판위에 Al을 도핑한 I-V 특성 측정
- 결과 및 고찰

본문내용

Ⅰ. 실험 목적
- 물질의 전기적인 특성을 설명할 때 우리가 가장 일반적으로 관찰하는 것이 전압(V)에 따른 전류(I)를 측정하는 방법이다. 이를 I-V특성(I-V Characteristic)이라고 한다. 금속과 반도체를 접촉시킨 경우의 I-V특성은 크게 Ohmic contact과 Schottky contact으로 나누어 살펴 볼 수 있다.
이번 실험에서 우리는 P-type과 N-type위에 Al을 증착시켜 I-V특성을 관찰함으로써 P-type과 N-type이 각각 어떤 특성을 나타내는지 알고자 한다.

Ⅱ. 배경 이론
1. Ohmic Contact

- Ohmic Contact은 비정류(non-rectifying)또는 저항(resistive)접촉과 같은 것으로, I-V 곡선이 일반적인 옴의 법칙(V=IR)을 따르는 경우를 말하며 Ohmic contact의 경우에는 전류 I는 전기장의 방향에는 무관하고, 크기에만 의존하게 된다.

2. Schottky Contact(=Rectifying contact)
- Schottky contact은 I-V곡선이 옴의 법칙에서 벗어나, 특정한 방향으로만 전류가 잘 흐르는 경우를 말한다. 즉, 전류I는 전기장의 방향과 크기에 모두 의존하게 되는데 전류의 방향을 조절할 수 있다는 의미에서 정류접촉(Rectifying Contact)이라고 한다.
반도체와 금속간의 접합(metal-semiconductor junction)에서도 이러한 현상이 나타나는데, 반도체의 종류 및 금속과 반도체의 상대적인 일함수 차이에 따라, 전류-전압 특성이 달라져서 Ohmic contact 또는 Schottky contact을 가질 수 있다.

참고 자료

없음
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