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[예비,결과]다이오드의 기초

저작시기 2008.04 |등록일 2009.05.31 파일확장자압축파일 (zip) | 8페이지 | 가격 1,000원

소개글

[예비,결과]다이오드의 기초

목차

1. 실험목적

2. 관련이론
가. 물질의 전기전도성
나. 진성반도체
다. 소수캐리어와 다수캐리어
라. 외인성 반도체
1) n형 반도체
2) p형 반도체
마. 반도체 다이오드
1) 바이어스 전압을 걸지 않은 경우
2) 역방향 바이어스 전압이 인가되는 경우
3) 순방향 바이어스 전압이 인가되는 경우
4) 범용 다이오드의 전압-전류특성
5) 이상적인 다이오드의 전기적 특성
바. 반도체 다이오드의 형명 표시법

3. 실험방법
가. 사용기기 및 부품
나. 실험방법 및 순서

1. 실험결과
가. 다이오드의 순방향 및 역방향 등가저항
나. Si 다이오드 순방향
다. Si 다이오드 역방향
라. Ge 다이오드 순방향
마. Ge 다이오드 역방향

2. 결론 / 토의

본문내용

1. 실험목적
반도체의 기본 물성과 이를 이용한 반도체 다이오드의 전기적 특성을 실험을 통해 확인해 본다.

2. 관련이론
가. 물질의 전기전도성
반도성 물지인 Ge이나 Si는 모두 원소 주기율표 4족에 속하는 원소로써 각각의 원자는 다른 4개의 원자와 전자를 1개씩 내어 공유결합을 한다.

나. 진성반도체
불순물이 거의 들어 있지 않은 순수반도체로서 이들의 전기 전도성은 이들 물질의 공유한 것에 의해 결정되고 있다. 반도체는 에너지 밴드 모델로 볼때 일반 절연체와는 달리 가전자대와 전도대 간의 에너지밴드갭 Eg가 비교적 적은편이다. 그래서 일부의 전자가 전도대로 이동이 가능하다.
이렇게 이동하게 되면 전자로 채워져있던 빈자리는 전기적인 균형이 깨지면서 정공으로 된다. 즉 전도대에 전도전자가 생김과 동시에 가전자대에는 전도전자와 전하량이 같은 정공이 쌍으로 생기게 된다.

다. 소수캐리어와 다수캐리어
불순물이 포함되지 않은 순수한 Si이나 Ge 등에 있어서 쌍으로 생성되는 정공과 전도전자의 밀도는 매우 낫다. 그러나 진성반도체에 n타입 불순물의 도핑되면 가전자대의 정공의 밀도는 거의 변화가 없는 반면 전도대내의 전자의 밀도는 크게 증가하게 된다. 또한 반대로 p타입 불순물이 도핑되면 전자의 밀도는 변화가 없고 정공의 밀도가 크게 증가하게 되는데 밀도가 낮은 캐리어를 소수캐리어라하고 밀도가 높은 캐리어를 다수캐리어라 부른다.
라. 외인성 반도체
1) n형 반도체
5가의 원소를 주입함으로써 여분의 전도전자를 발생시키는 반도체를 n타입 반도체라 하고 전도전자를 발생시키는 불순물을 도우너라 한다.

참고 자료

없음

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