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옴의 법칙

저작시기 2007.11 |등록일 2009.05.30 한글파일한컴오피스 (hwp) | 2페이지 | 가격 1,000원

소개글

[일반물리학 및 실험2] 옴의 법칙

목차

1. 목적
2. 이론
3. 실험방법
4. Data
5. 토론

본문내용

a. 옴의법칙
어느 저항체에 걸리는 전압 V와 이에 흐르는 전류 I의 비율을 전기저항 R이라 하며 다음과 같은 식으로 표현할 수 있다.

여기서 전기저항 R은 물질의 종류, 모양, 크기, 온도 등에 따라 달라지며, 걸린 전압 V에 따라서도 달라질 수 있다. 보통 저항체의 경우에는 걸린 전압 V나 전류 I와는 무관하게 일정한 전기저항 R을 갖는다. 이와 같이 전압 V와 전류 I가 일정한 상수 비율(전기저항 R)로 주어지는 것을 옴(Ohm)의 법칙이라 한다. 반면에 반도체를 이용한 다이오드나 트랜지스터의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고 전기저항이 걸린 전압의 방향이나 크기에 따라 달라진다.
b. 다이오드
- IV족 원소인 실리콘(Si)나 게르마늄(Ge)은 이들이 결정 상태를 이루고 있을 때 각 원자가 가지고 있는 4개의 원자가 전자들이 이웃하는 4개의 다른 원자와의 강한 공유결합을 형성하고 이들에 속박되어 아주 큰 저항을 가지고 있다. 이 결정에 III족이나 V족의 불순물이 들어가면 일반적으로 전기저항이 감소한다.

참고 자료

없음
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