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쌍극정 접합 트랜지스터

저작시기 2008.12 |등록일 2009.05.10 한글파일한컴오피스 (hwp) | 6페이지 | 가격 2,000원

소개글

전자회로 실험 레포트 입니다.
A+ 받은 자료입니다.
실험에 있는 배경이론과 핵심이론, 고찰로 구성되어 있습니다.
잘 쓰시기를 바랍니다.

목차

1. 실험 결과 데이터
2. 실험 결과 검토

본문내용

1. 실험 결과 데이터
1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정.
다음 실험순서는 트랜지스터의 형태, 트랜지스터의 단자 그리고 재료를 결정할 것이다. 여기에는 멀티미터에 있는 다이오드 테스팅 스케일이 사용될 것이다. 이와 같은 것을 이용할 수 없을 경우에는 멀티미터의 저항 스케일이 사용될 수도 있다.
a. 아래 그림의 트랜지스터 단자 1, 2, 와 3의 명칭을 적어라. 이 실험에서는 단자의 명칭이 없는 트랜지스터를 사용하라.
b. 멀티미터의 스위치 선택을 다이오드 스케일로 두어라. (또는 다이오드 스케일을 사용할 수 없다면 2의 범위의 저항 스케일을 사용하라.)
c. 미터의 양의 리드를 단자 1에, 미터의 음의 리드를 단자 2에 연결하라. 표 8.1에 읽혀진 것을 기록하라.
d. 단자를 반대로 하고 읽혀진 것을 기록하라.
e. 미터의 양의 리드를 단자 1에, 미터의 음의 리드를 단자 3에 연결하라. 표 8.1에 읽혀진 것을 기록하라.
f. 단자를 반대로 하고 읽혀진 것을 기록하라.
g. 미터의 양의 리드를 단자 2에, 미터의 음의 리드를 단자 3에 연결하라. 표 8.1에 읽혀진 것을 기록하라.
h. 단자를 반대로 하고 읽혀진 것을 기록하라.
i. 두 단자 사이의 미터값은 미터단자가 연결된 극성 관계없이 높게 나타날 것이다. 이 두 단자 모두 베이스는 아니다. 위를
표 8.2
단계1 (i)
기본단자
2
단계1 (j)
트랜지스터 형태
npn
단계1 (k)
콜렉터 단자
1
단계1 (k)
이미터 단자
3
단계1 (l)
트랜지스터 재료
Si
기초로 표 8.2에 베이스 단자의 번호를 기록하라.

j. 음의 리드를 베이스에 연결하고 양의 리드는 다른 두 단자중의 하나에 연결하라. 만약 미터의 기록이 낮다면(근사적으로 Si는 0.7V Ge는 0.3V거나 더 낮은 저항) 트랜지스터의 형태는 pnp; 순서 k(1)로 가라. 만약 기록이 높다면 트랜지스터의 형태는 npn; 단계(2)로 가라.

참고 자료

없음
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