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MOSCAP실험

저작시기 2008.04 |등록일 2009.04.10 한글파일한컴오피스 (hwp) | 2페이지 | 가격 700원

목차

1. C-V 곡선을 그리고 Substrate type이 n-type, p-type인지 규명하고 설명하시오.
2. E.O.T의 개념을 설명하고 본 샘플의 E.O.T값을 계산하시오.
3. Threshold voltage를 산정하기 위한 미분 그래프를 그리시오.

본문내용

1. C-V 곡선을 그리고 Substrate type이 n-type, p-type인지 규명하고 설명하시오.

Graph의 방향을 볼 때 n-type substrate라고 규명할 수 있다. n-type으로 doping된 물질은 electron이 주 캐리어 이므로 +전압을 강하게 인가하면 할수록 인가된 전압의 반대편인 body에는 인가된 전압에 상응하는 주 캐리어인 electron이 모이게 되므로 capacitance가 증가 하게 된다. 따라서 위 그래프는 accumulation에서 inversion으로 갈수록 capacitance가 증가하다가 inversion되는 순간부터는 그 증가가 보이지 않는 n-type substrate의 그래프 이다.

2. E.O.T의 개념을 설명하고 본 샘플의 E.O.T값을 계산하시오.
E.O.T란 Equivalent Oxide Thickness로 유전체가 SiO2가 아닌 다른 유전물질을 사용했을 때 SiO2의 기준에 맞추기 위해 계산된 값이다. 엔지니어들은 기존에 사용하던 SiO2에 익숙해져 있기 때문에 새로운 물질을 사용하더라도 익숙한 SiO2를 사용하였을 때 어느 정도의 유전 특성을 띄는지 파악 할 수 있도록 계산 한 값을 E.O.T값이라 한다. SiO2를 사용할 때 SiO2는 너무 얇아져서 다른 물질을 사용하여 두껍게 만들기 위해 만드는데 알기 쉽게 나타내는 값을 말한다고 할 수 있다.

참고 자료

없음
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